NVHL040N65S3F

Name: onsemi NVHL040N65S3F
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL040N65S3F
Price: 21474 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

863-NVHL040N65S3F

제조업체 번호:

NVHL040N65S3F

제조업체:

onsemi

설명:

MOSFET SUPERFET3 650V TO247 PKG

데이터시트:

NVHL040N65S3F 데이터시트

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

onsemi NVHL040N65S3F에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 711

재고:: 711 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 16 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩21,474.8	₩21,475
	₩13,334.8	₩133,348
	₩12,180.4	₩1,218,040
	₩12,076.8	₩5,434,560

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-247-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	650 V
Id - 연속 드레인 전류:	65 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	40 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3 V
Qg - 게이트 전하:	153 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	446 W
채널 모드:	Enhancement
자격:	AEC-Q101
상표명:	SuperFET III
포장:	Tube
브랜드:	onsemi
구성:	Single
하강 시간:	28 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	40 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	53 ns
시리즈:	SuperFET3
팩토리 팩 수량:	450
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	96 ns
표준 턴-온 지연 시간:	41 ns
단위 중량:	6 g

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

NVHL040N65S3F 데이터시트

Models

NVHL040N65S3F Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVHL040N65S3F 650V 65A SUPERFET® III Power MOSFET

onsemi NVHL040N65S3F 650V 65A SUPERFET^® III Power MOSFET은 낮은 온저항과 낮은 게이트 충전 성능을 위해 대전 균형 기술을 활용하는 고전압 AEC-Q101 인증 수퍼 접합(SJ) MOSFET입니다. 대전 균형 기술은 전도 손실을 최소화하여 탁월한 스위칭 성능을 제공하고 극한 dV/dt 속도를 견딜 수 있는 능력을 가능케 합니다. NVHL040N65S3F SUPERFET III MOSFET은 소형화와 높은 효율을 필요로 하는 전력 시스템에 이상적입니다. NVHL040N65S3F는 최적화된 역방향 회복 바디 다이오드를 제공하므로 필요한 추가 구성품이 감소하고 시스템 신뢰성이 개선됩니다.

SuperFET® III MOSFET

onsemi SuperFET^® III MOSFET은 충전 균형 기술의 고전압(T_J = 150ºC에서 700V) 초접합(SJ) MOSFET입니다. 이 기술은 낮은 온저항(59mΩ 또는 62mΩ R_DS(on), 일반) 및 낮은 게이트 전하(78nC Qg 일반)로 우수한 성능을 제공합니다. SuperFET III MOSFET은 전도 손실을 최소화하도록 설계되었으며 탁월한 스위칭 성능, 및 드레인 소스 전압(dv/dt)의 극한 상승율에 대한 내성을 제공합니다. Fairchild SuperFET III은 소형화 및 고효율성을 위한 다양한 전력 시스템에 매우 적합합니다.