onsemi NTB110N65S3HF 650V 30A SUPERFET® III Power MOSFET
onsemi NTB110N65S3HF 650V 30A SUPERFET® III Power MOSFET은 낮은 온저항과 낮은 게이트 충전 성능을 위해 대전 균형 기술을 활용하는 고전압 수퍼 접합(SJ) MOSFET입니다. 대전 균형 기술은 전도 손실을 최소화하여 탁월한 스위칭 성능을 제공하고 극한 dV/dt 속도를 견딜 수 있는 능력을 가능케 합니다. NTB110N65S3HF SUPERFET III MOSFET은 소형화와 높은 효율을 필요로 하는 전력 시스템에 이상적입니다. NTB110N65S3HF는 최적화된 역방향 회복 바디 다이오드를 제공하므로 필 한 추가 구성품이 감소하고 시스템 신뢰성이 개선됩니다.
NTB110N65S3HF SUPERFET III Power MOSFET은 소형 D2PAK-3 패키지로 제공됩니다. 이 장치는 무연이며 RoHS 규격을 준수합니다.
특징
- 700V @ TJ= 150°C
- 일반 RDS(on)= 98 mΩ
- 초저 게이트 대전 (일반 Qg= 62nC)
- 낮은 유효 출력 정전 용량 (일반 Coss(eff.)= 522μF)
- 훌륭한 바디 다이오드 성능 (낮은 Qrr, 견고한 본체 다이오드)
- 최적화된 정전용량
- 낮은 온도 작동시 높은 시스템 안정성
- 낮은 스위칭 손실
- LLC 및 위상 전환 풀 브리지 회로에서 높은 시스템 안정성
- 낮은 피크 Vds 및 낮은 Vgs 진폭
- 100% 애벌랜치 테스트를 거친 제품
- 패키지 유형: D2PAK-3
- 무연, RoHS 규격 준수
애플리케이션
- 전기통신/서버 전원공급장치
- 산업용 전원 공급 장치
- EV 충전기
- UPS / 태양광
게이트 대전 테스트 회로
저항 스위칭 테스트 회로
유도 스위칭 테스트 회로
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게시일: 2019-02-28
| 갱신일: 2024-01-24