STMicroelectronics EVALMASTERGAN5 데모 보드
STMicroelectronics EVALMASTERGAN5 데모 보드는 GaN eHEMT가 통합된 MASTERGAN5 고전압 드라이버를 기반으로 하는 하프 브리지 기준 설계 장치를 제공합니다. 통합형 전력 GaNs는 150mΩ RDS(ON) 및 650V 드레인 소스 항복 전압이 특징입니다. 이 통합형 부트스트랩 다이오드는 임베디드 게이트 드라이버의 하이 측을 신속하게 공급할 수 있습니다.
STMicroelectronics EVALMASTERGAN5 데모 보드는 QFN 패키지로 제공되는 MASTERGAN3 드라이버가 사전 설치되어 있는 것입니다. 이 데모 보드에는 단일 VCC 전원 공급 장치와 함께 보드 내장형 프로그래밍 가능 입력 데드타임 발생기도 포함되어 있습니다. 임베디드 선형 전압 조정기는 마이크로컨트롤러 또는 FPGA와 같은 저전압 로직 회로에 전력을 공급하는 3.3V 레일을 제공합니다.
별도의 입력 신호 또는 단일 PWM 신호, 선택적 외부 부트스트랩 다이오드 사용, VCC, PVCC 또는 Vbo를 위한 별도의 전원 공급 장치 및 피크 전류 모드 토폴로지를 위한 로우 측 션트 저항기를 사용하여 최종 애플리케이션을 위한 보드를 사용자 정의할 수 있도록 설치 공간이 포함되어 있습니다.
특징
- MASTERGAN5 고전압 드라이버가 장착된 하프 브리지 평가 보드
- 통합 650V GaN eHEMT 2개
- 9mm x 9mm QFN 패키지
- 외부 회로 공급을 위한 KF33BD-TR 3.3V LDO 조정기(최대 50mA)
- MASTERGAN3 GL 및 GH 핀 모니터링을 위한 고주파 커넥터
- MASTERGAN5 공급 전압을 위해 구성된 나사 커넥터 또는 핀 스트립의 VCC 입력
- 단일 또는 보완 구동 신호로 MASTERGAN5를 구동하기 위한 완벽한 기능 세트
- 단일 PWM 신호를 독립적으로 조절 가능한 데드타임을 제공하는 이중 보완 LIN 및 HIN 신호로 변환하는 내장형 데드타임 발생기
- 대용량 전원 토폴로지를 평가하기 위한 35°C/W 접합-주변 열 저항
- 로우 측 션트, 외부 부트스트랩 커패시터 및 고전압의 높은 정전용량 벌크 커패시터를 위한 예비 설치 공간
- 50mm x 70mm FR-4 PCB
- RoHS 규격 준수
지원 장치
STMicroelectronics MASTERGAN GaN 하프 브리지 고전압 드라이버
하프 브리지 구성으로 게이트 드라이버 및 2개의 강화 모드 GaN 트랜지스터를 통합합니다.
관련 개발 도구
STMicroelectronics EVALMASTERGAN3 데모 보드
GaN eHEMT가 통합된 MASTERGAN3 고전압 드라이버를 기반으로 하는 하프 브리지 기준 설계 장치를 제공하비다.
보드 레이아웃
설계 완성
STMicroelectronics 표준 제품
범용 아날로그 IC, 이산 및 직렬 EEPROM을 위한 광범위한 즉시 교체 제품입니다.
게시일: 2021-07-21
| 갱신일: 2022-03-11