Renesas Electronics 650V 34A 질화갈륨 FET
Renesas Electronics 650V 34A 질화갈륨 FET는 Renesas Electronics의 4세대 플랫폼을 사용하는 일반적으로 꺼져 있는 장치입니다. 이 FET는 고전압 질화갈륨 HEMT와 저전압 실리콘 MOSFET을 결합합니다. 4세대 SuperGaN® 플랫폼은 첨단 에피 및 특허 받은 설계 기술을 활용하여, manufacturability를 단순화하는 동시에, 낮은 게이트 전하, 출력 정전용량, 크로스오버 손실 및 역회복 전하를 통해 실리콘 대비 효율성을 향상시킵니다. 질화갈륨 FET는 기존 실리콘 FET에 비해 본질적으로 우수한 성능을 지니며, 더 빠른 스위칭 속도와 더 나은 열 성능을 제공합니다.
특징
- JEDEC 인증 질화갈륨 기술
- 견고한 설계, 다음과 같이 정의됩니다.
- 넓은 게이트 안전 마진
- 과도 과전압 용량
- 동적 RDS(on)eff 생산 테스트 완료
- 향상된 돌입 전류 기능
- 낮은 QRR
- 크로스오버 손실 감소
애플리케이션
- 데이터 통신
- 광범위한 산업
- 태양광 인버터
- 서보 모터
회로 구현
관련 제품
Renesas Electronics TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET
50mΩ GaN(질화갈륨) 상시 오프 장치 4납 TO-247 패키지로 제공됩니다.
게시일: 2022-01-17
| 갱신일: 2025-06-05