TP65H050G4YS

Name: Renesas Electronics TP65H050G4YS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H050G4YS
Price: 14264 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

227-TP65H050G4YS

제조업체 번호:

TP65H050G4YS

제조업체:

Renesas Electronics

설명:

GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L

데이터시트:

TP65H050G4YS 데이터시트

ECAD 모델:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Renesas Electronics
제품 카테고리:	GaN FET
RoHS:
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-247-4
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	650 V
Id - 연속 드레인 전류:	35 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	60 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.8 V
Qg - 게이트 전하:	16 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	132 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	SuperGaN
브랜드:	Renesas Electronics
구성:	Cascode
하강 시간:	8 ns
포장:	Tube
제품 유형:	GaN FETs
상승 시간:	5 ns
시리즈:	Gen IV SuperGaN
팩토리 팩 수량:	1200
하위 범주:	Transistors
기술:	GaN
트랜지스터 타입:	GaN HEMT
표준 턴-오프 지연 시간:	40 ns
표준 턴-온 지연 시간:	40 ns

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JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H050G4YS 650V SuperGaN^® FET는 4납 TO-247 패키지로 제공되는 50mΩ GaN(질화갈륨) 상시 오프 장치입니다. 이 4세대 SuperGaN FET는 고급 에피 및 특허 설계 기술을 지원하는 4세대 플랫폼을 사용하여 제조 가능성을 간소화합니다. TP65H050G4YS 650V FET는 최첨단 고전압 질화갈륨 HEMT와 저전압 실리콘 MOSFET을 결합하여 뛰어난 안정성과 성능을 제공합니다. 이 SuperGaN FET는 낮은 게이트 전하, 출력 정전용량, 크로스오버 손실 및 역회복 전하를 통해 실리콘보다 효율성이 향상됩니다. 일반 애플리케이션으로는 데이터 통신 광범위한 산업용, PV 인버터 및 서보 모터가 있습니다.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.