Renesas Electronics TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET
Renesas Electronics TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET는 4납 TO-247 패키지로 제공되는 50mΩ GaN(질화갈륨) 상시 오프 장치입니다. 이 4세대 SuperGaN FET는 고급 에피 및 특허 설계 기술을 지원하는 4세대 플랫폼을 사용하여 제조 가능성을 간소화합니다. TP65H050G4YS 650V FET는 최첨단 고전압 질화갈륨 HEMT와 저전압 실리콘 MOSFET을 결합하여 뛰어난 안정성과 성능을 제공합니다. 이 SuperGaN FET는 낮은 게이트 전하, 출력 정전용량, 크로스오버 손실 및 역회복 전하를 통해 실리콘보다 효율성이 향상됩니다. 일반 애플리케이션으로는 데이터 통신 광범위한 산업용, PV 인버터 및 서보 모터가 있습니다.
특징
- JEDEC 인증 GaN 기술
- 동적 RDS(on)eff 생산 테스트 완료
- 다음과 같이 견고한 디자인으로 정의:
- 넓은 게이트 안전 마진
- 과도 과전압 용량
- 향상된 돌입 전류 기능
- 매우 낮은 QRR
- 크로스오버 손실 감소
- AC-DC 브리지리스 토템폴 PFC 설계 지원:
- 향상된 전력 밀도
- 시스템 크기 및 무게 감소
- 전반적으로 낮은 시스템 비용
- 하드 스위치 및 소프트 스위치 회로 모두에서 효율성 향상 달성
- 일반적으로 사용되는 게이트 드라이버로 간편한 구동
- GSD 핀 레이아웃으로 고속 설계 개선
사양
- 650V의 드레인-소스 전압 VDSS
- 800V의 과도 드레인-소스 전압 VDSS(TR)
- ±20V의 게이트-소스 전압 VGSS
- 132W의 최대 전력 손실(PD) @TC=25°C
- 연속 드레인 전류 ID:
- 35A @TC=25°C
- 22A@TC=100°C
- 150A의 펄스 드레인 전류 IDM(펄스 폭: 10µs)
- 3.3V~4.8V의 게이트 임계 전압 VGS 범위(VDS=VGS, ID=0.7mA)
- 드레인 및 소스의 온-상태 저항(RDSon):
- 50mΩ~60mΩ(VGS=10V, ID=22A)
- 105mΩ(VGS=10V, ID=22A, TJ=150°C)
- 일반 정전용량(VGS=0V, VDS=400V, f=1MHz):
- 1 000 pF 입력
- 출력: 110 pF
- 2.7pF의 역전송
- 충전(VDS=400V, VGS=0V ~10V ID=6.5A):
- 16nC~24nC의 총 게이트 전하
- 6nC의 게이트-소스 전하
- 5nC의 게이트 드레인 전하
- 112nC 출력 전하(VGS=0V, VDS=0V~400V)
- 작동 주파수 범위: 50 kHz~100 kHz
애플리케이션
- 데이터 통신
- 광범위한 산업
- PV 인버터
- 서보 모터
회로 구현
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게시일: 2024-02-28
| 갱신일: 2025-06-05