NXP Semiconductors MRF1K50N 1500W RF 전력 트랜지스터

NXP MRF1K50N 및 MRF1K50GNR5 1,500W RF 전력 트랜지스터는 높은 RF 출력, 우수한 견고성 및 열 성능을 결합한 소자입니다. 이 LDMOS 장치들은 세라믹 MRF1K50H과 비교하여 최대 30% 낮은 열 저항을 제공하는, 성형 플라스틱 패키지가 특징입니다. NXP의 플라스틱 패키지 기술은 엄격한 허용 오차와 더 나은 솔더 연결 덕분에 간소화된 증폭기 제조성이 있는 반면, RF 트랜지스터에서 성능을 더욱 추출하도록 돕습니다. NXP MRF1K50N 및 MRF1K50GNR5 RF 전력 트랜짓스터는 50V에서 1.50kW CW를 제공하도록 고안된 제품이며 고출력 RF 증폭기 트랜지스터 수를 줄입니다. 이 장치들의 입력 및 출력 설계는 1.8~500MHz의 폭넓은 주파수 범위 사용을 허용합니다.

NXP MRF1K50N and MRF1K50GNR5 RF Power Transistors are designed to deliver 1.50kW CW at 50V and reduce the number of transistors in high-power RF amplifiers. The input and output design of these devices allow for wide frequency range use from 1.8MHz to 500MHz.

특징

  • High drain-source avalanche energy absorption capability
  • Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
  • Device can be used single-ended or in a push-pull configuration
  • Characterized from 30V to 50V for ease of use
  • Suitable for linear application
  • Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
  • Offered in OM-1230-4L (MRF1K50N) and OM-1230G-4L (MRF1K50GN) packages for design flexibility
  • RoHS compliant

애플리케이션

  • Industrial, Scientific, Medical (ISM)
    • Laser generation
    • Plasma etching
    • Particle accelerators
    • MRI, diathermy, skin laser, and ablation
    • Industrial heating, welding, and drying systems
  • Broadcast
    • Radio broadcast
    • VHF TV broadcast
  • Aerospace
    • VHF Omnidirectional Range (VOR)
    • HF and VHF communications
    • Weather radar
  • Mobile Radio
    • VHF and UHF base stations

사양

  • N-channel polarity
  • Si technology
  • 36A continuous drain current
  • 133V drain-source breakdown voltage
  • 1.8MHz to 500MHz operating frequency range
  • 23dB gain
  • 1.5kW output power
  • -40°C to +150°C operating temperature range
게시일: 2016-12-07 | 갱신일: 2022-03-11