NXP Semiconductors MRF1K50N 1500W RF 전력 트랜지스터
NXP MRF1K50N 및 MRF1K50GNR5 1,500W RF 전력 트랜지스터는 높은 RF 출력, 우수한 견고성 및 열 성능을 결합한 소자입니다. 이 LDMOS 장치들은 세라믹 MRF1K50H과 비교하여 최대 30% 낮은 열 저항을 제공하는, 성형 플라스틱 패키지가 특징입니다. NXP의 플라스틱 패키지 기술은 엄격한 허용 오차와 더 나은 솔더 연결 덕분에 간소화된 증폭기 제조성이 있는 반면, RF 트랜지스터에서 성능을 더욱 추출하도록 돕습니다. NXP MRF1K50N 및 MRF1K50GNR5 RF 전력 트랜짓스터는 50V에서 1.50kW CW를 제공하도록 고안된 제품이며 고출력 RF 증폭기 트랜지스터 수를 줄입니다. 이 장치들의 입력 및 출력 설계는 1.8~500MHz의 폭넓은 주파수 범위 사용을 허용합니다.NXP MRF1K50N and MRF1K50GNR5 RF Power Transistors are designed to deliver 1.50kW CW at 50V and reduce the number of transistors in high-power RF amplifiers. The input and output design of these devices allow for wide frequency range use from 1.8MHz to 500MHz.
특징
- High drain-source avalanche energy absorption capability
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Device can be used single-ended or in a push-pull configuration
- Characterized from 30V to 50V for ease of use
- Suitable for linear application
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
- Offered in OM-1230-4L (MRF1K50N) and OM-1230G-4L (MRF1K50GN) packages for design flexibility
- RoHS compliant
애플리케이션
- Industrial, Scientific, Medical (ISM)
- Laser generation
- Plasma etching
- Particle accelerators
- MRI, diathermy, skin laser, and ablation
- Industrial heating, welding, and drying systems
- Broadcast
- Radio broadcast
- VHF TV broadcast
- Aerospace
- VHF Omnidirectional Range (VOR)
- HF and VHF communications
- Weather radar
- Mobile Radio
- VHF and UHF base stations
사양
- N-channel polarity
- Si technology
- 36A continuous drain current
- 133V drain-source breakdown voltage
- 1.8MHz to 500MHz operating frequency range
- 23dB gain
- 1.5kW output power
- -40°C to +150°C operating temperature range
게시일: 2016-12-07
| 갱신일: 2022-03-11
