NXP Semiconductors MRFX1K80 기준 회로
NXP Semiconductors MRFX1K80H 기준 회로를 사용하면 NXP MRFX1K80 RF 전력 트랜지스터의 신속한 평가 및 프로토타이핑이 가능합니다. NXP MRFX1K50 RF 전력 LDMOS 트랜지스터는 높은 RF 출력, 우수한 견고성 및 열 성능을 결합한 소자입니다. MRFX1K80 트랜지스터는 1~470MHz 범위의 애플리케이션을 위해 65V CW(연속파)에서 1,800W를 공급하도록 설계되었고, 65:1의 VSWR(전압 정재파 비)을 처리할 수 있습니다.
특징
- NXP MRFX1K80 RF 전력 트랜지스터 평가용
- 높은 전압으로 높은 출력 전력 밀도를 지원하므로 구성 요소 개수를 줄이고 설계를 단순화할 수 있음
- 빠르게 개발하고 출력 전력을 높이면서도 합리적인 출력 임피던스를 유지함으로써 임피던스 정합을 단순화할 수 있음
- NXP MRF1K50H 및 MRF1K50NR5 50V LDMOS 트랜지스터와 핀 호환 가능하므로, RF 설계자가 기존의 회로기판 설계를 재사용하여 출시 시간을 앞당길 수 있음
- 전압이 높아 시스템의 전류가 낮아져 DC 전원 공급 장치에 미치는 스트레스를 제한하고 자기 방사를 줄입니다.
- NXP 65V LDMOS 기술은 항복 전압이 182V이므로 신뢰성이 향상되고 효율이 높은 아키텍처 구현 가능
애플리케이션
- 산업, 과학, 의료(ISM)
- 레이저 생성
- 플라즈마 생성
- 입자 가속기
- MRI, RF 절제, 피부 치료
- 산업용 히터, 용접 및 건조 시스템
- 라디오 및 VHF TV 방송
- 항공우주
- VHF 옴니레인지(VOR)
- HF 통신
- 기상 레이더
관련 제품
NXP Semiconductors MRFX 시리즈 65V LDMOS 트랜지스터
연속파 RF 전력 트랜지스터로, 높은 RF 출력 전력과 우수한 견고성을 제공합니다.
NXP Semiconductors MRF1K50H 1500W RF 전력 트랜지스터
최고의 RF 출력과 우수한 견고성 및 열 성능을 결합한 소자입니다.
NXP Semiconductors MRF1K50N 1500W RF 전력 트랜지스터
높은 RF 출력, 우수한 견고성 및 열 성능을 결합한 1,500W RF 전력 트랜지스터.
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| 부품 번호 | 데이터시트 | 주파수 | 작동 공급 전압 |
|---|---|---|---|
| MRFX1K80N-88MHZ |  |
87.5 MHz to 108 MHz | |
| MRFX1K80H-88MHZ | |
87.5 MHz to 108 MHz | |
| MRFX1K80H-128MHZ | |
128 MHz | |
| MRFX1K80H-175MHZ | |
175 MHz | 60 V |
| MRFX1K80H-230MHZ | |
230 MHz | |
| MRFX1K80H-64MHZ | |
64 MHz | |
| MRFX1K80H-81MHZ | |
81.36 MHz | |
| MRFX1K80H-VHFDHY | |
174 MHz to 230 MHz | |
| MRFX1K80N-230MHZ | |
230 MHz |
게시일: 2018-01-15
| 갱신일: 2022-10-18