NXP Semiconductors MRF1K50H 1500W RF 전력 트랜지스터

NXP MRF1K50H 1500W RF 전력 트랜지스터는 최고의 RF 출력과 우수한 견고성 및 열 성능을 결합한 소자입니다. 이 트랜지스터는 50V에서 1.50kW CW를 제공하도록 설계된 제품으로, 이 소자를 사용하면 고출력 RF 증폭기의 트랜지스터 수를 줄일 수 있습니다. MRF1K50H는 1.8~500MHz의 넓은 주파수 범위에서 사용할 수 있는 최고의 입력 및 출력 능력을 자랑합니다. 레이저 및 플라즈마 소스부터 입자 가속기, 산업용 용접기, 라디오 및 VHF TV 방송 송출기, 아마추어용 무선 선형 증폭기 등에 사용됩니다.

특징

Housed in a NI-1230 air-cavity ceramic package
Extreme Ruggedness, 65:1 VSWR
High drain-source avalanche energy absorption capability
Unmatched input and output allows wide frequency range utilization
Can be used single-ended or in a push-pull configuration

Characterized from 30V to 50V for ease of use
Suitable for linear applications
Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
RoHS compliant

애플리케이션

Industrial, Scientific, Medical (ISM)
- Laser generation
- Plasma etching
- Particle accelerators
- MRI and other medical applications
- Industrial heating, welding, and drying systems
Broadcast
- Radio broadcast
- VHF TV broadcast

Aerospace
- VHF Omnidirectional Range (VOR)
- HF and VHF communications
- Weather radar
Mobile radio
- VHF and UHF base stations

사양

50V_DC maximum operating voltage
230MHz frequency
Typical capacitance
- 3.48pF reverse transfer
- 205pF output
- 664pF input
22.5dB to 25.5dB power gain range
74.0% typical drain efficiency
-9dB maximum input return loss

50V test voltage
Junction to case
- 0.10°C/W thermal resistance
- 0.028°C/W thermal impedance
>65:1 VSWR at all phase angles
Temperature ranges
- -40°C to +150°C case operating
- -40°C to +225°C operating junction
- -65°C to +150°C storage