Infineon Technologies 2,000V CoolSiC™ MOSFET
Infineon Technologies 2,000V CoolSiC™ MOSFET은 TO-247PLUS-4-HCC 패키지로 제공되는 트렌치 MOSFET입니다. 이 MOSFET은 까다로운 고전압 및 스위칭 주파수 조건에서도 시스템의 신뢰성을 떨어뜨리지 않고 향상된 전력 밀도를 제공하도록 설계되었습니다. CoolSiC™ 기술의 낮은 전력 손실은 .XT 상호 연결 기술을 통한 향상된 신뢰성을 제공하고 다양한 애플리케이션에서 최고의 효율을 지원합니다. 2,000V MOSFET은 4.5V의 벤치마크 게이트 임계 전압이 특징이며 매우 낮은 스위칭 손실을 제공합니다. 일반적으로 에너지 저장 시스템, EV 충전, 스트링 인버터 및 태양광 발전 최적화 장치에 사용됩니다.
특징
- 높은 전력 밀도
- 매우 낮은 스위칭 손실
- 동급 최고의 열 성능을 위한 .XT 상호 연결 기술
- 우수한 신뢰성
- 고효율
- 개선된 습도 견고성
- 하드 정류를 위한 견고한 바디 다이오드
- 설계 용이성
사양
- THT 장착
- 핀 4개
- 최대 1,500VDC 의 높은 DC 링크 시스템을 위한 2,000V VDSS
- 4.5V 벤치마크 게이트 임계 전압
- 14mm 연면 거리 및 5.5mm 간극 거리를 제공하는 혁신적인 HCC 패키지
- -55~175°C 작동 온도 범위
- 175°C 작동 접합부 온도
애플리케이션
- 에너지 저장 시스템
- EV 충전
- 스트링 인버터
- 태양광 전력 옵티마이저
비디오
핀 다이어그램
패키지 외형
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| 부품 번호 | 데이터시트 | Pd - 전력 발산 | Qg - 게이트 전하 | Rds On - 드레인 소스 저항 | Id - 연속 드레인 전류 | 표준 턴-온 지연 시간 | 표준 턴-오프 지연 시간 | 상승 시간 | 하강 시간 | 순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IMYH200R012M1HXKSA1 |  |
552 W | 246 nC | 16.5 mOhms | 123 A | 16 ns | 50 ns | 13 ns | 24 ns | 30 S |
| IMYH200R024M1HXKSA1 | |
576 W | 137 nC | 33 mOhms | 89 A | 19 ns | 40 ns | 11 ns | 16 ns | 20 S |
| IMYH200R075M1HXKSA1 | |
267 W | 64 nC | 98 mOhms | 34 A | 7 ns | 26 ns | 5 ns | 7 ns | 6.5 S |
| IMYH200R050M1HXKSA1 | |
348 W | 82 nC | 64 mOhms | 48 A | 17 ns | 36 ns | 9 ns | 12 ns | 10 S |
| IMYH200R100M1HXKSA1 | |
217 W | 55 nC | 131 mOhms | 26 A | 2 ns | 21 ns | 3 ns | 5 ns | 5 S |
게시일: 2023-08-02
| 갱신일: 2023-08-29