SiC MOSFET – Mouser 대한민국

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CoolSiC™ MOSFET

Infineon CoolSiC™ MOSFET은 애플리케이션에서 가장 낮은 손실과 가장 높은 작동 신뢰성을 모두 제공하도록 최적화된 최첨단 트렌치 반도체 공정을 기반으로 제작되었습니다. TO- 및 SMD 하우징의 개별 CoolSiC 포트폴리오는 650 V, 1 200 V 및 1 700 V 전압 등급으로 제공되며 온 저항 정격은 27 mΩ ~ 1 000 mΩ 입니다. CoolSiC 트렌치 기술을 통해 각각의 제품 포트폴리오에서 애플리케이션 별 기능을 구현하는 데 사용되는 유연한 매개변수 세트를 구현할 수 있습니다. 이러한 기능에는 게이트 소스 전압, 애벌런치 사양, 단락 기능 또는 하드 정류 정격의 내부 보디 다이오드가 포함됩니다.

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결과: 30

적용된 필터:

장착 스타일

패키지/케이스

Vds - 드레인 소스 항복 전압

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

Qg - 게이트 전하

최고 작동온도

Pd - 전력 발산

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재고 상태 정상

판매 중

신제품

RoHS 준수

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부품 번호

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R090M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩8,570.2
1,148재고 상태

제조업체 부품 번호
IMBG120R090M1HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMBG120R090M1HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

데이터시트

1,148재고 상태

컷 테이프

₩8,570.2

₩6,555.4

₩5,679.4

₩5,591.8

릴

₩4,905.6

견적

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

125 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R060M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩13,271.4
345재고 상태

제조업체 부품 번호
IMBG120R060M1HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMBG120R060M1HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

데이터시트

345재고 상태

컷 테이프

₩13,271.4

₩9,154.2

₩7,343.8

₩7,329.2

릴

₩5,986

견적

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

83 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

181 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R045M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩16,673.2
651재고 상태

제조업체 부품 번호
IMBG120R045M1HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMBG120R045M1HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon 1200v coolsic modules 에 대해

데이터시트

651재고 상태

컷 테이프

₩16,673.2

₩12,672.8

₩10,964.6

₩10,074

릴

₩8,599.4

₩8,453.4

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

47 A

45 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩6,876.6
444재고 상태

제조업체 부품 번호
IMZA65R107M1HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMZA65R107M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 에 대해

데이터시트

444재고 상태

₩6,876.6

₩4,949.4

₩4,380

₩3,898.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R1K0M1XTMA1
Infineon Technologies
1: ₩6,935
1,530재고 상태
4,000예상 2026-03-02

제조업체 부품 번호
IMBF170R1K0M1XTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMBF170R1K0M1XTM

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets 에 대해

데이터시트

1,530재고 상태

4,000예상 2026-03-02

컷 테이프

₩6,935

₩4,584.4

₩3,445.6

₩3,124.4

릴

₩2,569.6

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

5.2 A

1 Ohms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R450M1XTMA1
Infineon Technologies
1: ₩8,511.8
1,827재고 상태
1,250예상 2026-03-19

제조업체 부품 번호
IMBF170R450M1XTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMBF170R450M1XTM

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets 에 대해

데이터시트

1,827재고 상태

1,250예상 2026-03-19

컷 테이프

₩8,511.8

₩6,351

₩4,628.2

릴

₩3,883.6

견적

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

9.8 A

450 mOhms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R030M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩20,659
179재고 상태

제조업체 부품 번호
IMBG120R030M1HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMBG120R030M1HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

데이터시트

179재고 상태

컷 테이프

₩20,659

₩14,512.4

₩12,935.6

릴

₩10,555.8

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

41 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R140M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩9,942.6
594재고 상태

제조업체 부품 번호
IMBG120R140M1HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMBG120R140M1HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

데이터시트

594재고 상태

컷 테이프

₩9,942.6

₩7,270.8

₩5,883.8

₩5,226.8

릴

₩4,482.2

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

18 A

189 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

13.4 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R350M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩7,475.2
824재고 상태
1,000예상 2026-02-26

제조업체 부품 번호
IMBG120R350M1HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMBG120R350M1HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

데이터시트

824재고 상태

1,000예상 2026-02-26

컷 테이프

₩7,475.2

₩4,964

₩3,942

₩3,504

릴

₩2,993

₩2,817.8

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

468 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

5.9 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩17,067.4
176재고 상태
240예상 2026-03-05

제조업체 부품 번호
IMW120R030M1HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMW120R030M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v sic trench mosfet 에 대해

데이터시트

176재고 상태

240예상 2026-03-05

₩17,067.4

₩12,293.2

₩11,066.8

₩11,052.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

40 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R090M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩10,774.8
1,180재고 상태

제조업체 부품 번호
IMW120R090M1HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMW120R090M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v sic trench mosfet 에 대해

데이터시트

1,180재고 상태

₩10,774.8

₩6,730.6

₩5,679.4

₩5,664.8

₩5,139.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

117 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

115 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩7,840.2
1,004재고 상태

제조업체 부품 번호
IMW120R220M1HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMW120R220M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v sic trench mosfet 에 대해

데이터시트

1,004재고 상태

₩7,840.2

₩4,993.2

₩4,161

₩3,664.6

₩3,562.4

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

13 A

289 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩21,637.2
840재고 상태

제조업체 부품 번호
IMZ120R030M1HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMZ120R030M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v sic trench mosfet 에 대해

데이터시트

840재고 상태

₩21,637.2

₩14,497.8

₩12,950.2

₩12,935.6

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

40 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩19,315.8
222재고 상태
720예상 2026-07-30

제조업체 부품 번호
IMZA65R027M1HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMZA65R027M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 에 대해

데이터시트

222재고 상태

720예상 2026-07-30

₩19,315.8

₩11,723.8

₩10,293

₩9,811.2

견적

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

59 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩12,059.6
332재고 상태

제조업체 부품 번호
IMZA65R048M1HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMZA65R048M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 에 대해

데이터시트

332재고 상태

₩12,059.6

₩7,650.4

₩6,555.4

₩6,190.4

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩18,585.8
153재고 상태
240예상 2026-02-23

제조업체 부품 번호
IMW65R027M1HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMW65R027M1HXKSA

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 에 대해

데이터시트

153재고 상태

240예상 2026-02-23

₩18,585.8

₩11,256.6

₩9,650.6

₩9,577.6

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R220M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩8,380.4
57재고 상태
1,000예상 2026-02-18

제조업체 부품 번호
IMBG120R220M1HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMBG120R220M1HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

데이터시트

57재고 상태

1,000예상 2026-02-18

컷 테이프

₩8,380.4

₩5,708.6

₩4,394.6

₩4,073.4

릴

₩3,416.4

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

13 A

294 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.4 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩13,548.8
255재고 상태
240예상 2026-08-20

제조업체 부품 번호
IMW120R060M1HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMW120R060M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v sic trench mosfet 에 대해

데이터시트

255재고 상태

240예상 2026-08-20

₩13,548.8

₩7,986.2

₩6,774.4

₩6,336.4

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

78 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩10,015.6
422재고 상태

제조업체 부품 번호
IMW120R140M1HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMW120R140M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v sic trench mosfet 에 대해

데이터시트

422재고 상태

₩10,015.6

₩5,767

₩4,818

₩4,234

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

3.5 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩7,825.6
68재고 상태
240예상 2026-02-16

제조업체 부품 번호
IMW120R350M1HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMW120R350M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v sic trench mosfet 에 대해

데이터시트

68재고 상태

240예상 2026-02-16

₩7,825.6

₩4,774.2

₩3,985.8

₩3,285

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

455 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩10,526.6
300재고 상태

제조업체 부품 번호
IMW65R072M1HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMW65R072M1HXKSA

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 에 대해

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300재고 상태

₩10,526.6

₩5,518.8

₩5,007.8

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

26 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩8,438.8
251재고 상태

제조업체 부품 번호
IMW65R107M1HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMW65R107M1HXKSA

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 에 대해

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251재고 상태

₩8,438.8

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩14,191.2
173재고 상태
960예상 2026-05-07

제조업체 부품 번호
IMZ120R060M1HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMZ120R060M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v sic trench mosfet 에 대해

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173재고 상태

960예상 2026-05-07

₩14,191.2

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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

78 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩11,198.2
159재고 상태
240예상 2026-02-12

제조업체 부품 번호
IMZ120R140M1HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMZ120R140M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v sic trench mosfet 에 대해

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240예상 2026-02-12

₩11,198.2

₩7,898.6

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

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19 A

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- 7 V, + 23 V

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CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R220M1HXKSA1
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1: ₩9,387.8
80재고 상태
480예상 2026-08-05

제조업체 부품 번호
IMZ120R220M1HXKSA1

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726-IMZ120R220M1HXKS

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SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

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40 mOhms
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189 mOhms
220 mOhms
289 mOhms
294 mOhms
350 mOhms
450 mOhms
455 mOhms
468 mOhms