SiC MOSFET – Mouser 대한민국

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CoolSiC™ MOSFET

Infineon CoolSiC™ MOSFET은 애플리케이션에서 가장 낮은 손실과 가장 높은 작동 신뢰성을 모두 제공하도록 최적화된 최첨단 트렌치 반도체 공정을 기반으로 제작되었습니다. TO- 및 SMD 하우징의 개별 CoolSiC 포트폴리오는 650 V, 1 200 V 및 1 700 V 전압 등급으로 제공되며 온 저항 정격은 27 mΩ ~ 1 000 mΩ 입니다. CoolSiC 트렌치 기술을 통해 각각의 제품 포트폴리오에서 애플리케이션 별 기능을 구현하는 데 사용되는 유연한 매개변수 세트를 구현할 수 있습니다. 이러한 기능에는 게이트 소스 전압, 애벌런치 사양, 단락 기능 또는 하드 정류 정격의 내부 보디 다이오드가 포함됩니다.

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결과: 29

적용된 필터:

장착 스타일

패키지/케이스

Vds - 드레인 소스 항복 전압

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

Qg - 게이트 전하

최고 작동온도

Pd - 전력 발산

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이미지	부품 번호	제조업체	설명	데이터시트	구매 가능 정보	가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.	수량	장착 스타일	패키지/케이스	채널 수	Vds - 드레인 소스 항복 전압	Id - 연속 드레인 전류	Rds On - 드레인 소스 저항	Vgs - 게이트 소스 전압	Vgs th - 게이트 소스 역치 전압	Qg - 게이트 전하	최저 작동온도	최고 작동온도	Pd - 전력 발산	채널 모드	상표명
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₩10,920 825재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMBG120R090M1HXTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBG120R090M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	데이터시트	825재고 상태	컷 테이프 ₩10,920 ₩7,534.8 ₩6,786 ₩6,458.4 릴 ₩6,349.2 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	26 A	125 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₩21,637.2 617재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMBG120R045M1HXTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBG120R045M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	데이터시트	617재고 상태	컷 테이프 ₩21,637.2 ₩13,182 ₩12,246 릴 ₩11,575.2 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	47 A	45 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩9,828 368재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMZ120R140M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMZ120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	데이터시트	368재고 상태	₩9,828 ₩6,817.2 ₩6,364.8	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₩16,255.2 303재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMBG120R060M1HXTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBG120R060M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	데이터시트	303재고 상태	컷 테이프 ₩16,255.2 ₩9,048 ₩8,533.2 릴 ₩8,065.2 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	36 A	83 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	181 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩24,398.4 370재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMW120R030M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMW120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	데이터시트	370재고 상태	₩24,398.4 ₩16,473.6 ₩15,693.6	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₩25,521.6 2,509재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMBG120R030M1HXTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBG120R030M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	데이터시트	2,509재고 상태	컷 테이프 ₩25,521.6 ₩15,288 릴 ₩14,274 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	56 A	41 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	63 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R450M1XTMA1 Infineon Technologies 1: ₩11,934 6,541재고 상태 9,000주문 중	제조업체 부품 번호 IMBF170R450M1XTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBF170R450M1XTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	6,541재고 상태 9,000주문 중 주문 배송 날짜 제조업체 번호: IMBF170R450M1XTMA1 재고: 6,541 즉시 배송 가능 주문 중: 3,000 예상 2027-03-11 6,000 미정 공장 리드 타임: 52 주	컷 테이프 ₩11,934 ₩7,987.2 ₩6,427.2 ₩5,709.6 릴 ₩5,054.4 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 최대: 1,000 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	9.8 A	450 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₩9,781.2 1,420재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMBG120R350M1HXTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBG120R350M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	데이터시트	1,420재고 상태	컷 테이프 ₩9,781.2 ₩6,411.6 ₩4,726.8 ₩4,274.4 릴 ₩4,274.4 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 최대: 500 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	468 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	5.9 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩14,414.4 1,054재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMW120R090M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMW120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	데이터시트	1,054재고 상태	₩14,414.4 ₩7,722 ₩7,113.6 ₩6,770.4	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩11,278.8 3,851재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMW120R220M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMW120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	데이터시트	3,851재고 상태	₩11,278.8 ₩5,881.2 ₩5,397.6 ₩5,382 ₩4,882.8	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	13 A	289 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩22,807.2 1,701재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMW65R027M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,701재고 상태	₩22,807.2 ₩13,712.4 ₩13,540.8	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩16,785.6 341재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMW65R048M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMW65R048M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	341재고 상태	₩16,785.6 ₩9,126 ₩8,439.6 ₩8,377.2	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩17,893.2 855재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMZ120R060M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMZ120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	데이터시트	855재고 상태	₩17,893.2 ₩12,948 ₩10,779.6 ₩9,594 ₩8,970	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩15,225.6 960재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMZ120R090M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMZ120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	데이터시트	960재고 상태	₩15,225.6 ₩8,190 ₩7,566 ₩7,269.6	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩16,239.6 299재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMZA65R048M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	299재고 상태	₩16,239.6 ₩9,344.4 ₩8,658	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R650M1XTMA1 Infineon Technologies 1: ₩10,608 2,436재고 상태	제조업체 부품 번호 IMBF170R650M1XTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBF170R650M1XTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	2,436재고 상태	컷 테이프 ₩10,608 ₩6,957.6 ₩5,116.8 ₩4,555.2 릴 ₩4,024.8 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	7.4 A	650 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	8 nC	- 55 C	+ 175 C	88 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₩11,715.6 3,842재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMBG120R140M1HXTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBG120R140M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	데이터시트	3,842재고 상태	컷 테이프 ₩11,715.6 ₩6,286.8 ₩5,756.4 릴 ₩5,350.8 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	18 A	189 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	13.4 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₩10,389.6 2,469재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMBG120R220M1HXTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBG120R220M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	데이터시트	2,469재고 상태	컷 테이프 ₩10,389.6 ₩5,506.8 ₩4,960.8 릴 ₩4,383.6 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	13 A	294 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	9.4 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩17,284.8 472재고 상태 720예상 2026-10-20 NRND	제조업체 부품 번호 IMW120R060M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMW120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	데이터시트	472재고 상태 720예상 2026-10-20	₩17,284.8 ₩12,214.8 ₩10,186.8 ₩9,063.6 ₩8,470.8	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩12,417.6 314재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMW65R072M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMW65R072M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	314재고 상태	₩12,417.6 ₩7,129.2 ₩6,630 ₩6,380.4	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	26 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩11,809.2 463재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMW65R107M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMW65R107M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	463재고 상태	₩11,809.2 ₩6,193.2 ₩5,694 ₩5,257.2	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩11,107.2 43재고 상태 960주문 중 NRND	제조업체 부품 번호 IMW120R350M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMW120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	데이터시트	43재고 상태 960주문 중 주문 배송 날짜 제조업체 번호: IMW120R350M1HXKSA1 재고: 43 즉시 배송 가능 주문 중: 720 예상 2026-12-03 240 예상 2026-12-10 공장 리드 타임: 52 주	₩11,107.2 ₩7,269.6 ₩5,366.4 ₩4,758 ₩4,212	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	455 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩12,745.2 22재고 상태 2,160주문 중 NRND	제조업체 부품 번호 IMZ120R220M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMZ120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	데이터시트	22재고 상태 2,160주문 중 주문 배송 날짜 제조업체 번호: IMZ120R220M1HXKSA1 재고: 22 즉시 배송 가능 주문 중: 960 예상 2027-03-25 1,200 예상 2027-04-15 공장 리드 타임: 52 주	₩12,745.2 ₩8,533.2 ₩6,864 ₩6,084 ₩5,397.6	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	13 A	220 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩11,154 179재고 상태 240예상 2026-12-10 NRND	제조업체 부품 번호 IMZ120R350M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMZ120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package	데이터시트	179재고 상태 240예상 2026-12-10	₩11,154 ₩7,456.8 ₩6,006 ₩5,319.6 ₩4,711.2	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	350 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩24,819.6 17재고 상태 3,600주문 중 NRND	제조업체 부품 번호 IMZA65R027M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMZA65R027M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	17재고 상태 3,600주문 중 주문 배송 날짜 제조업체 번호: IMZA65R027M1HXKSA1 재고: 17 즉시 배송 가능 주문 중: 1,680 예상 2027-10-05 1,920 미정 공장 리드 타임: 52 주	₩24,819.6 ₩14,055.6 ₩13,930.8 ₩13,915.2	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	59 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC