CoolSiC™ 1200V SIC 트렌치 MOSFET

Infineon Technologies  CoolSiC™ 1,200V SiC 트렌치 MOSFET은 탄화 규소의 강력한 물리적 특성과 고유의 특징을 결합하여 장치의 성능, 견고성 및 사용 편의성을 향상시킵니다. CoolSiC 1,200V SiC 트렌치 MOSFET은   최저 애플리케이션 손실과 최고의 작동 신뢰성을 제공하도록 최적화된 최첨단 트렌치 반도체 프로세스를 기반으로 제작됩니다. 고온 및 혹독한 환경 작동에 적합한 이 장치를 사용하면 최고의 시스템 효율로 간단하고 비용 효율적인 배포가 가능합니다.

트랜지스터의 유형

카테고리 보기 변경
결과: 23
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 유형 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성


Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package 1,275재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package 641재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package 352재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 826재고 상태
240예상 2026-07-09
최소: 1
배수: 1
최대: 70

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package 603재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package 889재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package 2,742재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package 309재고 상태
480예상 2026-08-13
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package 657재고 상태
240예상 2026-07-16
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package 228재고 상태
720예상 2026-07-30
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package 369재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package 85재고 상태
240예상 2026-07-02
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
480예상 2026-07-02
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package 20재고 상태
960주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package 16재고 상태
720주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package 375재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package 26재고 상태
960예상 2026-09-17
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package 187재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package 43재고 상태
1,920주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package 752재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 5

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package 11재고 상태
720주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
1,440주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
3,120주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel