MRAM(자기 메모리)

결과: 655
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 패키지/케이스 인터페이스 타입 메모리 크기 조직 데이터 버스 너비 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 작동 공급 전류 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
7,762주문 중
최소: 1
배수: 1
: 4,000

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
3,565주문 중
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 125 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI MRAM(자기 메모리)
3,565주문 중
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 105 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
1,620예상 2026-09-16
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 3.3V 32Mb MRAM(자기 메모리) with unlimited read & write endurance, currently MSL 6
1,667주문 중
최소: 1
배수: 1

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
252예상 2026-09-09
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Tray
Renesas Electronics M30044010035X0ISAR
Renesas Electronics MRAM(자기 메모리) M3004401 4MB HIGH PERFORMANCE SPI 35MHZ MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SPI 4 Mbit M3004401 Reel
Renesas Electronics M30044010035X0ISAY
Renesas Electronics MRAM(자기 메모리) M3004401 4MB HIGH PERFORMANCE SPI 35MHZ MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 18 주
최소: 300
배수: 300

SPI 4 Mbit M3004401 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 16Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,200
배수: 300

SOIC-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1016204 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 8Mb in SOIC8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 85 C 비재고 리드 타임 3 주
최소: 1
배수: 1

SOIC-8 QSPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3008204 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 16Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 105 C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,365
배수: 455

WSON-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3016204 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,008
배수: 168
FBGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) 재고 없음
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C 재고 없음
최소: 1,200
배수: 300

SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) 재고 없음
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C 재고 없음
최소: 1,365
배수: 455

WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) 재고 없음
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 105 C 재고 없음
최소: 1,200
배수: 300

SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) 재고 없음
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 105 C 재고 없음
최소: 1,365
배수: 455

WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) 재고 없음
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with QSPI - 108MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C 재고 없음
최소: 1,200
배수: 300

SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) 재고 없음
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C 재고 없음
최소: 1,365
배수: 455

WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) 재고 없음
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Reel