MRAM(자기 메모리)

결과: 655
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수량 RoHS ECAD 모델 패키지/케이스
인터페이스 타입
메모리 크기
조직
데이터 버스 너비
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
작동 공급 전류
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) -40 to +85C
데이터시트
470재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-24 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 85 C MR10Q010 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) -40 to +85C
데이터시트
272재고 상태
최소: 1
배수: 1

SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 85 C MR10Q010 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
371재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
데이터시트
1,321재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
데이터시트
1,267재고 상태
2,280예상 2026-11-11
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
데이터시트
2,172재고 상태
4,000예상 2026-11-11
최소: 1
배수: 1
: 4,000

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Reel, Cut Tape
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
데이터시트
1,342재고 상태
2,280예상 2026-12-16
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
75재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
189재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
233재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM(자기 메모리)
데이터시트
22재고 상태
9,417예상 2026-07-29
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 32Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
데이터시트
58재고 상태
최소: 1
배수: 1

FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3032316 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 4Mb Octal SPI in 24-BGA 200 MHz
데이터시트
70재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBDH13IS2T
데이터시트
67재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 8Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM008LXQBDH13ES2T
데이터시트
100재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 8 Mbit 1 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
데이터시트
90재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
5재고 상태
216예상 2026-10-14
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM(자기 메모리)
데이터시트
75재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Tray

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 8Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM008LXQBDH13IS2T
데이터시트
76재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 8 Mbit 1 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche SPI P-SRAM 1Mb in WSON8 package with SPI - 50MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
데이터시트
93재고 상태
최소: 1
배수: 1

WSON-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 85 C AS3001101 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
데이터시트
9재고 상태
최소: 1
배수: 1

WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3004204 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 8Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
데이터시트
910예상 2026-08-14
최소: 1
배수: 1

WSON-8 QSPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1008204 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 128Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
데이터시트
90예상 2027-01-15
최소: 1
배수: 1

DFN-8 QSPI 128 Mbit 16 M x 9 1.7 V 2 V - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
데이터시트
1,140예상 2026-12-02
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR20H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
데이터시트
5,150주문 중
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Tray