|
|
MRAM(자기 메모리)
- MR25H40DF
- Everspin Technologies
-
1,140:
₩26,084.3
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR25H40DF
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1,140
배수: 570
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
4 Mbit
|
812 k x 8
|
8 bit
|
25 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
13.8 mA, 33 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR25H40
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리)
- MR25H40DFR
- Everspin Technologies
-
4,000:
₩24,224.1
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR25H40DFR
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 4,000
배수: 4,000
:
4,000
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
4 Mbit
|
812 k x 8
|
8 bit
|
25 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
13.8 mA, 33 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR25H40
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI Pre-Qual Sample MRAM(자기 메모리)
- MR25H40MDFR
- Everspin Technologies
-
4,000:
₩65,711
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR25H40MDFR
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI Pre-Qual Sample MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 4,000
배수: 4,000
:
4,000
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
8 bit
|
25 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
13.8 mA, 33 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR25H40
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI MRAM(자기 메모리)
- MR25H40VDFR
- Everspin Technologies
-
4,000:
₩41,219.1
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR25H40VDFR
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 4,000
배수: 4,000
:
4,000
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
8 bit
|
25 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
13.8 mA, 33 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
MR25H40
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
- MR2A08ACMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩48,532.8
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR2A08ACMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
30 mA, 90 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR2A08A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
- MR2A08ACYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
₩48,673.8
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR2A08ACYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
30 mA, 90 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR2A08A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
- MR2A08AMA35
- Everspin Technologies
-
696:
₩42,064.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR2A08AMA35
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 696
배수: 348
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
30 mA, 90 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR2A08A
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
- MR2A08AMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩41,585.5
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR2A08AMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
30 mA, 90 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR2A08A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
- MR2A08AMYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
₩64,935.9
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR2A08AMYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
30 mA, 90 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR2A08A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
- MR2A08AYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
₩42,078.7
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR2A08AYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
30 mA, 90 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR2A08A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
- MR2A16ACMA35
- Everspin Technologies
-
696:
₩55,663.4
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR2A16ACMA35
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 696
배수: 348
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
4 Mbit
|
256 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR2A16A
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
- MR2A16ACMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩44,840.7
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR2A16ACMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
4 Mbit
|
256 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR2A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
- MR2A16ACYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
₩44,728
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR2A16ACYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
4 Mbit
|
256 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR2A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
- MR2A16AMA35
- Everspin Technologies
-
696:
₩42,769.2
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR2A16AMA35
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 696
배수: 348
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
4 Mbit
|
256 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR2A16A
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
- MR2A16AMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩41,867.3
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR2A16AMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
4 Mbit
|
256 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR2A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 MRAM(자기 메모리)
- MR2A16AMYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
₩69,840
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR2A16AMYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
4 Mbit
|
256 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR2A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
- MR2A16AVMA35
- Everspin Technologies
-
696:
₩58,975
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR2A16AVMA35
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 696
배수: 348
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
4 Mbit
|
256 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
MR2A16A
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
- MR2A16AVMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩51,971.3
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR2A16AVMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
4 Mbit
|
256 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
MR2A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
- MR2A16AVYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
₩52,746.4
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR2A16AVYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
4 Mbit
|
256 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
MR2A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
- MR2A16AYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
₩41,853.2
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR2A16AYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
4 Mbit
|
256 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR2A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리)
- MR3A16ACMA35
- Everspin Technologies
-
480:
₩65,175.5
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR3A16ACMA35
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 480
배수: 240
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 152 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR3A16A
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리)
- MR3A16ACMA35R
- Everspin Technologies
-
2,500:
₩58,030.9
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR3A16ACMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 152 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR3A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리)
- MR3A16ACYS35
- Everspin Technologies
-
216:
₩60,257.4
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR3A16ACYS35
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 216
배수: 108
|
|
|
TSOP-II-54
|
Parallel
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 152 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR3A16A
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리)
- MR3A16ACYS35R
- Everspin Technologies
-
1,000:
₩57,622.2
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR3A16ACYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
|
|
|
TSOP-II-54
|
Parallel
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 152 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR3A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리)
- MR3A16AMA35
- Everspin Technologies
-
480:
₩52,408.1
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR3A16AMA35
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 480
배수: 240
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 152 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR3A16A
|
Tray
|
|