MRAM(자기 메모리)

결과: 710
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Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩28,705.4
최소: 696
배수: 348
BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
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₩31,340.6
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩51,900.8
최소: 270
배수: 135
TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
릴
₩49,603.8
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩37,667.9
최소: 696
배수: 348
BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
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₩37,146.5
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩34,595.9
최소: 270
배수: 135
TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
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₩36,005.1
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩34,398.6
최소: 270
배수: 135
TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
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₩31,974.7
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI 비재고 리드 타임 26 주
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₩37,512.9
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR20H40 Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
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₩15,078.4
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR256A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
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₩14,162.5
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR256A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩13,641.1
최소: 696
배수: 348
BGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
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₩15,388.5
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR256A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
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₩12,316.4
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR256A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI 비재고 리드 타임 26 주
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₩19,771.1
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI 비재고 리드 타임 26 주
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₩7,652
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI 비재고 리드 타임 26 주
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₩19,348.3
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H128A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI 비재고 리드 타임 26 주
₩13,598.8
최소: 1,140
배수: 570
DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI 비재고 리드 타임 26 주
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₩12,288.2
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI 비재고 리드 타임 26 주
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₩21,011.2
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI 비재고 리드 타임 26 주
₩15,134.8
최소: 1,140
배수: 570
DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI 비재고 리드 타임 26 주
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₩15,036.2
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
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₩11,795
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Reel