DRAM

결과: 2,723
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 타입 메모리 크기 데이터 버스 너비 최대 클록 주파수 패키지/케이스 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
GSI Technology DRAM 8M x 36 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 재고 없음
최소: 36
배수: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C GS4288C36GL Tray
GSI Technology DRAM LLDRAM II, 288Mb, x36, 300MHz, Commercial Temp 재고 없음
최소: 36
배수: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology DRAM LLDRAM II, 288Mb, x36, 300MHz, Industrial Temp 재고 없음
최소: 36
배수: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C GS4288C36GL
SMARTsemi DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Industrial N/A
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 1.283 V 1.575 V - 40 C + 85 C KTDM Tray
SMART Modular Technologies DRAM LPDDR4 16Gb 51 2Mx32 1.1V 4267Mbps 200-ball BGA Ind Distributed-Sold by SMART 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit FBGA-200 512 M x 32 3.5 ns 1.1 V 1.8 V - 40 C + 105 C Reel
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

FBGA-24 Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

FBGA-24 Reel
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

FBGA-24 Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

FBGA-24 Reel
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500

FBGA-24 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

FBGA-24 Reel
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

FBGA-24 Reel
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

FBGA-24 Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

FBGA-24 Reel
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

FBGA-24 Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

FBGA-24 Reel
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

FBGA-24 Reel
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

FBGA-24 Reel
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 256 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 512Mx4, 400MHz (800Mbps), 0C to +95C, FBGA-60 비재고 리드 타임 26 주
최소: 264
배수: 264

SDRAM - DDR2 2 Gbit 4 bit 400 MHz FBGA-60 512 M x 4 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C IM2G04D2 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 256Mx8, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-60 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 256 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IM2G08D2 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 128Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 128 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IM2G16D2 Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 256 M x 16 600 mV 1.8 V - 40 C + 95 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 512Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 512 M x 16 600 mV 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4x Tray