DRAM

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수량 RoHS ECAD 모델 타입
메모리 크기
데이터 버스 너비
최대 클록 주파수
패키지/케이스
조직
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
AP Memory APS6404L-SQHXRQ
AP Memory DRAM
데이터시트
직송 리드 타임 8 주
최소: 30,000
배수: 30,000
: 30,000

Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
데이터시트
리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
Kingston DRAM itemp 4Gb 96 ball FBGA DDR4 3200
데이터시트
리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 3.2 GHz FBGA-96 256 M x 16 13.75 ns 1.2 V 2.5 V - 40 C + 95 C Tray
Intelligent Memory DRAM DDR2 1Gb, 1.8V, 64Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IM1G16D2 Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 120
배수: 120

SDRAM - LPDDR4X 24 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 768 M x 32 600 mV 1.8 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166MHz (166Mbps), 0C to +70C, FBGA-54
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 16 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IM2516SD Tray
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166Mhz (1666Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 16 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM2516SD Tray
Intelligent Memory DRAM DDR3 2Gb, 1.35V/1.5V, 128Mx16, 800MHz (1600Mbps), 0C to +95C, FBGA-96
데이터시트
리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 128 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IM2G16D3 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-78
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IM4G08D3 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
데이터시트
리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IM4G08D3 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR2 512Mb, 1.8V, 32Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-60 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IM5116D2 Tray
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz FBGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM6432SD Tray
Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 1Gx8 (1CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 220
배수: 220

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 1 G x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IM8G08D3 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx16 (2CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IM8G16D3 Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 256 M x 32 600 mV 1.8 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
데이터시트
리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IME5108SD Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 120
배수: 120

SDRAM - LPDDR4X 24 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 768 M x 32 600 mV 1.8 V - 40 C + 95 C LPDDR4x Tray
Apacer DRAM DDR5 ECC SODIMM 5600 3072x8 48GB CL46 HYN-M HF
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

Bulk
Apacer DRAM DDR5 REG DIMM 4800 2048x8 32GB SA FLF HF
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR5 32 GB 16 bit 4.8 GHz FBGA-288 4 G x 80 4.25 V 15 V 0 C + 85 C Bulk
Amphenol ProLabs DRAM Factory Original 1GB DDR2-533MHz Unbuffered ECC Dual Rank 1.8V 240-pin CL4 UDIMM 재고 없음
최소: 1
배수: 1

MNE
Amphenol ProLabs DRAM Factory Original 512MB DDR-400MHz Unbuffered No Single Rank x8 2.5V 184-pin CL2.5 UDIMM 재고 없음
최소: 1
배수: 1

MNE
Amphenol ProLabs DRAM Factory Original 1GB DDR-400MHz ECC Dual Rank x8 1.8V 184-pin CL3 DRAM 재고 없음
최소: 1
배수: 1

MNE
Amphenol ProLabs DRAM Factory Original 512MB DDR-400MHz ECC Dual Rank x8 184-pin CL3 DRAM 재고 없음
최소: 1
배수: 1

MNE
Amphenol ProLabs DRAM Factory Original 1GB DDR-400MHz Unbuffered ECC Dual Rank 1.8V 184-pin CL2.5 UDIMM 재고 없음
최소: 1
배수: 1

MNE
Amphenol ProLabs DRAM Factory Original 2GB (2x1GB) DDR-400MHz Unbuffered ECC Dual Rank 1.8V 184-pin CL2.5 UDIMM 재고 없음
최소: 1
배수: 1

MNE