MRAM(자기 메모리)

결과: 711
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Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩27,222
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩28,033.2
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩25,630.8
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩29,265.6
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩24,679.2
최소: 696
배수: 348
BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩23,930.4
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩47,642.4
최소: 270
배수: 135
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩48,562.8
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩33,680.4
최소: 696
배수: 348
BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩29,686.8
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩41,839.2
₩38,750.4
₩37,533.6
₩36,613.2
₩35,505.6
최소: 1
배수: 1
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩32,619.6
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩24,538.8
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) -40 to +85C 비재고 리드 타임 26 주
₩16,458
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
BGA-24 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 85 C MR10Q010 Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) -40 to +85C 비재고 리드 타임 26 주
컷 테이프
₩22,089.6
₩20,514
₩19,890
₩19,406.4
₩16,894.8
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 85 C MR10Q010 Reel, Cut Tape
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) 0 to +70C 비재고 리드 타임 26 주
₩14,492.4
최소: 960
배수: 480
BGA-24 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA 0 C + 70 C MR10Q010 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) 0 to +70C 비재고 리드 타임 26 주
₩14,773.2
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
BGA-24 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA 0 C + 70 C MR10Q010 Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) 0 to +70C 비재고 리드 타임 26 주
컷 테이프
₩19,281.6
₩17,908.8
₩17,362.8
₩16,941.6
₩15,163.2
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA 0 C + 70 C MR10Q010 Reel, Cut Tape
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) -40 - +105C 비재고 리드 타임 26 주
₩18,532.8
최소: 960
배수: 480
BGA-24 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 105 C MR10Q010 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) -40 - +105C 비재고 리드 타임 26 주
₩18,595.2
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
BGA-24 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 105 C MR10Q010 Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩18,018
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 105 C MR10Q010 Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩38,220
최소: 696
배수: 348
BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩36,519.6
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩36,051.6
최소: 270
배수: 135
TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩37,096.8
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Reel