Microchip SiC MOSFET

결과: 119
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268
데이터시트
242재고 상태
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 59 A 35 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 178 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
데이터시트
862재고 상태
270예상 2026-03-27
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 77 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 283 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247
데이터시트
44재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 149 A 19 mOhms - 10 V, + 25 V 1.9 V 215 nC - 55 C + 175 C 524 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-247
데이터시트
58재고 상태
56예상 2026-02-18
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 77 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 283 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247
데이터시트
49재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 62 A 50 mOhms - 10 V, + 25 V 1.8 V 140 nC - 55 C + 175 C 311 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247
데이터시트
140재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 39 A 69 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 56 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4
데이터시트
55재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 39 A 75 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 56 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-268
데이터시트
144재고 상태
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 700 V 37 A 69 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 56 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4
데이터시트
63재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 80 mOhms - 10 V, + 23 V 2.8 V 64 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-268
데이터시트
63재고 상태
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 100 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 64 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-247
데이터시트
162재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 28 A 111 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 38 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-268
데이터시트
88재고 상태
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1.2 kV 180 mOhms
Microchip Technology SiC MOSFET 1200V, 360mOhms N-Channel mSiC MOSFET
데이터시트
20재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1.2 kV 360 mOhms
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247
데이터시트
188재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 5 A 750 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 11 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-268
데이터시트
45재고 상태
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 4.4 A 750 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 11 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 3300V 80 mOhm TO-247-4L-Notch
데이터시트
230주문 중
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 3.3 kV 41 A 105 mOhms - 10 V, + 23 V 2.97 V 55 nC - 55 C + 150 C 381 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-268
데이터시트
리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 700 V 25 A 111 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 38 nC - 55 C + 175 C 91 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-247
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1.2 kV 180 mOhms
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 360 mOhm TO-268
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1.2 kV 360 mOhms
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 90 mOhm PSMT
데이터시트
비재고 리드 타임 9 주
최소: 200
배수: 200
릴: 100

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 700 V 32 A 112 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm PSMT
데이터시트
비재고 리드 타임 5 주
최소: 100
배수: 100
릴: 100

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 225 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 36 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 360 mOhm PSMT
데이터시트
비재고 리드 타임 9 주
최소: 200
배수: 200
릴: 100

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 11 A 450 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 21 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-263-7L-XL
데이터시트
비재고 리드 타임 9 주
최소: 200
배수: 200
릴: 100

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6 A 940 mOhms - 10 V , + 23 V 3.25 V 11 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-268, TAPE & REEL
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 400
배수: 400
릴: 400

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 40 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 137 nC - 55 C + 175 C 303 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 60 mOhm PSMT
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,300
배수: 1,300
릴: 1,300

SMD/SMT PSMT-16 N-Channel 1 Channel 700 V 48 A 75 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 56 nC - 55 C + 175 C 215 W Enhancement