AEC-Q200 트랜지스터

트랜지스터의 유형

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Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 41,880재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 8,000

Digital Transistors SMD/SMT VESM-3 NPN
Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563) 35,170재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

Digital Transistors SMD/SMT ES-6 NPN
Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 5,998재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM) 5,456재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT USM-3 NPN
Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q TR PNP BRT Q1BSR=10kOhm VCEO=-50V IC=-0.1A in SOT-346 (SOT-346) 6,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3 PNP
Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 2,531재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3 NPN
Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 5,980재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3 PNP
Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 5,560재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3 NPN
Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 5,985재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT SC-59-3 NPN
Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 5,900재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3 PNP
Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 2,730재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3 PNP
Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 5,985재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) 5,644재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7,700재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7,772재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6 NPN, PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6) 5,762재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini) 8,330재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3 NPN
Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 2,045재고 상태
8,000예상 2026-03-16
최소: 1
배수: 1
: 8,000

Digital Transistors SMD/SMT VESM-3 NPN
Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 6,045재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 8,000

Digital Transistors SMD/SMT VESM-3 NPN
Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 6,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini) 11,236재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini) 5,779재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini) 8,229재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-323 (USM) 7,177재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT USM-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM) 487재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT USM-3 PNP