AEC-Q200 디스크리트 반도체

이산 반도체의 유형

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Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563) 35,170재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

Digital Transistors SMD/SMT ES-6
Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 41,880재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 8,000

Digital Transistors SMD/SMT VESM-3
Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 5,998재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 5,560재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
KYOCERA AVX ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 18VAC26DVC0.7J0.47pF 33V 54V AEC-Q200 195재고 상태
최소: 1
배수: 1

Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 2,531재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 5,980재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 5,985재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT SC-59-3
Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 5,900재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 2,730재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 5,985재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
KYOCERA AVX ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 18VAC26DVC0.7J 1uF 3 3V 54V AEC-Q200 588재고 상태
최소: 1
배수: 1

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM) 5,458재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT USM-3
Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q TR PNP BRT Q1BSR=10kOhm VCEO=-50V IC=-0.1A in SOT-346 (SOT-346) 6,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) 5,644재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6
YAGEO ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 Bid SM Rvs 36V Clmp 58.1V AEC-Q101 5,378재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMC (DO-214AB)
YAGEO ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 Unid SM Rvs 8V Clmp 13.6V AEC-Q101 5,890재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMC (DO-214AB)
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7,700재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7,772재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6) 5,762재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6
YAGEO ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 Bid SM Rvs 30V Clmp 48.4V AEC-Q101 5,718재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMC (DO-214AB)
Eaton Electronics ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 POLYSURG 0402 30V AEC-Q200 21,712재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

0402 (1005 metric)
Littelfuse ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 18V 2.5A 0.45pF 30kV SOD882 Bi-dir TVS AEC-Q200 6,978재고 상태
30,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 10,000

SOD-882-2
Panasonic ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 0603 ESD suppressor AEC-Q200 15kV type 56,542재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

0603 (1608 metric)
Littelfuse ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 28V 2.5A 0.45pF 30kV SOD882 Bi-dir TVS AEC-Q200 7,114재고 상태
10,000예상 2026-06-09
최소: 1
배수: 1
: 10,000

SOD-882-2