OptiMOS™ 5 전력 MOSFET

Infineon의 OptiMOS™ 5 전력 MOSFET는 시스템 비용을 줄이면서 향상된 시스템 효율 요구사항에 부합하도록 설계되었습니다. 이 장치는 대체 장치 대비 낮은 RDS(on)와 성능 지수(RDS(on) x Qg)가 특징입니다. 새로운 실리콘 기술을 사용하여 설계된 이 장치는 에너지 효율 및 전력 밀도 요구 사항에 부합하고 이를 능가하도록 최적화되었습니다. 이 MOSFET는 컴퓨팅 업계에서 서버, 데이터 통신, 클라이언트 애플리케이션용으로 주로 사용됩니다. 스위치 모드 전원장치(SMPS)의 동기식 정류 및 모터 제어, 태양광 마이크로 인버터, 고속 스위칭 DC/DC 변환기 애플리케이션에도 사용될 수 있습니다.

결과: 81
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명 포장
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 4,862재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 6,000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 21 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 49 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS 67,587재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 133 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 2,013재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 6,000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 16 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 44 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 4,102재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 174 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 2,153재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 6,000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 21 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 49 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 4,990재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 6,000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 100 V 13 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 43 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 1,478재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 248 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 89 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V 3,847재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 40 A 960 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 92 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 4,073재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 39 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_)40V 60V) 4,677재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 10.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 12.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS 6,017재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 49 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V 4,732재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V 253 A 850 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 64 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 5,096재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 34 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 3,266재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 101 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 35 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 477재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 290 A 1.9 Ohms - 20 V, 20 V 3.8 V 94 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 3,011재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 60 V 233 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 2,977재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 100 V 139 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 2,708재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 60 V 233 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 4,082재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 150 V 148 A 6.32 Ohms - 10 V, 10 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB 53,692재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 95 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 75 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 4,462재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 151 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 53 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 3,819재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5 3,240재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 170 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 77 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5 5,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 3.23 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 47 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 1,744재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 60 V 427 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 171 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape