BIMOSFET 디스크리트 반도체

이산 반도체의 유형

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결과: 43
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IXYS IGBT TO268 3KV 42A IGBT 2,787재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBT SMPDB 3KV 22A IGBT 287재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT
IXYS IGBT BIMOSFET 1700V 75A 3,229재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBT BIMOSET 42A 1700V 297재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBT 10 Amps 1700V 2.3 Rds 294재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT BIMOSFETS 1700V 60A 219재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT 12 Amps 1700V 3.6 Rds 269재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBT 1700V 25A 630재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3

IXYS IGBT PLUS247 2500V 25A IGBT 224재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD 281재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT 1700V 16A 239재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBT 12 Amps 1700V 3.6 Rds 180재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBT 3600V/45A Reverse Conducting IGBT 307재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3

IXYS IGBT 1700V 16A 1,205재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT BIMOSFETS 1700V 200A 314재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-3

IXYS IGBT 1700V 75A 302재고 상태
450예상 2026-03-27
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT TO268 3KV 12A BIMOSFET 277재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBT BIMOSFETS 1700V 200A 5재고 상태
650예상 2026-05-04
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBT TO268 2500V 2A IGBT 8재고 상태
720주문 중
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-247-3
IXYS IGBT TO264 3KV 55A BIMOSFET
1,275예상 2026-07-22
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBT IGBT BIMSFT-VERY HIV OLT
300예상 2026-08-13
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT

IXYS IGBT TO247 3KV 12A IGBT
300예상 2026-04-01
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT TO263 3KV 14A HI GAIN 비재고 리드 타임 48 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-263HV-3
IXYS MOSFET TO263 1.7KV 16A N-CH 비재고 리드 타임 37 주
최소: 300
배수: 50

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 재고 없음
최소: 25
배수: 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3