IXYS IXBx14N300HV 역전도 BiMOSFET™ IGBT
IXYS IXBx14N300HV 역전도 BiMOSFET™ IGBT는 MOSFET과 IGBT의 강점을 결합한 장치입니다. 이 고전압 장치는 포화 전압에 대한 양의 전압 온도 계수와 고유 다이오드의 순방향 전압 강하 덕분에 병렬 작동에 이상적입니다. IXBx14N300HV BiMOSFET IGBT의 "자유" 진성 바디 다이오드는 보호 다이오드 역할을 하며 장치가 꺼진 동안 유동성 부하 전류를 위한 대체 경로를 제공하여 높은 Ldi/dt 전압 과도 현상이 장치를 손상시키지 못하게 합니다.
전력 설계자는 IXBx14N300HV BiMOSFET IGBT를 사용하여 여러 직렬-병렬 저전압, 저전류 정격 장치를 제거할 수 있으므로, 필요한 전력 구성품 수를 줄이고 관련 게이트 드라이브 회로를 간소화할 수 있습니다. 이 기능으로 비용을 절감하고 신뢰성을 개선하여 시스템 설계를 훨씬 간소화할 수 있습니다.
IXYS IXBx14N300HV BiMOSFET™ IGBT는 TO-263HV(IXBA14N300HV) 및 TO-268HV(IXBT14N300HV) 패키지로 제공됩니다. 이 장치의 접합 온도 범위는 -55~+150°C입니다.
특징
- "자유" 진성 바디 다이오드
- 다중 직렬-병렬 저전압, 저전류 정격 장치를 제거하여 공간 절약
- 높은 전력 밀도
- 고주파 작동
- 낮은 전도 손실
- 드라이브 단순성을 위한 MOS 게이트 턴온
- 4,000V 전기 절연
- 낮은 게이트 드라이브 요구 사항
애플리케이션
- 스위치 모드 및 공진 모드 전원 공급 장치
- UPS(무정전 전원 공급 장치)
- 레이저 발생기
- 커패시터 방전 회로
- AC 스위치
사양
- 3,000V 컬렉터-이미터 전압(VCES)
- 3,000V 컬렉터 게이트 전압(VCGR)
- ±20V 게이트-이미터 전압(VGES)
- ±38A 컬렉터 전류(+25°C, IC25)
- ±100nA 게이트 누설 전류(IGES)
- ±14A 컬렉터 전류(+110°C, IC110)
- 2.7V 컬렉터-이미터 포화 전압(VCE(sat))
- 10μs 단락 내성 시간(tsc)
- 200W 컬렉터 전력 손실(PC)
- -55~+150°C 접합 온도 범위
핀 지정 및 계통도
TO-263HV 패키지 외형
TO-268HV 패키지 외형
게시일: 2021-10-14
| 갱신일: 2022-03-11