EPC 반도체

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수량 RoHS
EPC GaN FET EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,500
배수: 500
릴: 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 12,500
배수: 2,500
릴: 2,500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 5,000
배수: 1,000
릴: 1,000

EPC GaN FET 100 V eGaN FET, 3.2 mohm Rdson, 3.725 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 5,000
배수: 1,000
릴: 1,000

EPC GaN FET EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,500
배수: 500
릴: 500

EPC GaN FET EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,500
배수: 500
릴: 500

EPC GaN FET EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 12,500
배수: 2,500
릴: 2,500

EPC 레이저 드라이버 IC LASER DRVR 40V 15A LVDS LOGIC
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 12,500
배수: 2,500
릴: 2,500

EPC 레이저 드라이버 IC LASER DRVR 80V 15A
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 12,500
배수: 2,500
릴: 2,500

EPC GaN FET EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 12,500
배수: 2,500
릴: 2,500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,500
배수: 500
릴: 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 12,500
배수: 2,500
릴: 2,500