RF 트랜지스터

RF 트랜지스터의 유형

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결과: 902
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 유형 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 타입 기술 작동 주파수 출력 전력 최저 작동온도 최고 작동온도 이득 자격 포장
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 ART2K0PE/OMP-1230/TRAY 비재고 리드 타임 16 주
최소: 60
배수: 60

RF MOSFETs SMD/SMT OMP-1230-4F-1-5 LDMOS 1 MHz to 450 MHz 2 kW + 225 C 27.7 dB Tray
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 ART2K0TFE/ACC-1230/REEL 비재고 리드 타임 16 주
최소: 100
배수: 100
: 100

RF MOSFETs Screw Mount ACC-1230-6F-3-7 LDMOS 1 MHz to 400 MHz 2 kW + 225 C 29 dB Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 ART2K0TFES/ACC-1230/REEL 비재고 리드 타임 16 주
최소: 100
배수: 100
: 100

RF MOSFETs SMD/SMT ACC-1230-6F-2-7 LDMOS 1 MHz to 400 MHz 2 kW + 225 C 29 dB Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 ART2K5TFUG/ACC-1230-6G/T&R 비재고 리드 타임 16 주
최소: 100
배수: 100
: 100

RF MOSFETs SMD/SMT ACC-1230-6G-2-7 LDMOS 1 MHz to 400 MHz 2.5 kW + 225 C 29.8 dB Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 ART2K5TFUS/ACC-1230-6F/T&R 비재고 리드 타임 16 주
최소: 100
배수: 100
: 100

RF MOSFETs SMD/SMT ACC-1230-6F-2-7 LDMOS 1 MHz to 400 MHz 2.5 kW + 225 C 29.8 dB Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 ART2K5TPU/OMP-1230-6F/T&R 비재고 리드 타임 16 주
최소: 100
배수: 100
: 100

RF MOSFETs SMD/SMT OMP-1230-6F-2-7 LDMOS 1 MHz to 400 MHz 2.5 kW + 225 C 28..5 dB Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 ART700FHG/SOT1214/REEL 비재고 리드 타임 16 주
최소: 100
배수: 100
: 100

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1214C-5 LDMOS 1 MHz to 450 MHz 700 W + 225 C 28.6 dB Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 ART800PE/OMP780/REEL 비재고 리드 타임 16 주
최소: 100
배수: 100
: 100

RF MOSFETs SMD/SMT OMP-780-4F-1-5 LDMOS 1 MHz to 650 MHz 800 W + 225 C 29.2 dB Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL 비재고 리드 타임 13 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 10 W + 125 C 32 dB Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 10 W + 125 C 32 dB Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL 비재고 리드 타임 13 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 2.11 GHz to 2.17 GHz 10 W + 125 C 30.5 dB Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 2.11 GHz to 2.17 GHz 10 W + 125 C 30.5 dB Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP 비재고 리드 타임 13 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 2.3 GHz to 2.4 GHz 10 W + 125 C 31.3 dB Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 2.3 GHz to 2.4 GHz 10 W + 125 C 31.3 dB Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B10G2327N55D/PQFN/REELDP 비재고 리드 타임 13 주
최소: 500
배수: 500
: 500

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-20 LDMOS 2.3 GHz to 2.7 GHz 46.8 dBm + 200 C 31.2 dB Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B10G2527N10DL/LGA-7x7/REELDP 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 2.5 GHz to 2.7 GHz 10 W + 125 C 30 dB Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B10G3336N16DL/LGA/REEL 비재고 리드 타임 13 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 3.3 GHz to 3.6 GHz 16 W + 125 C 35 dB Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B10G3336N16DL/LGA/REEL 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 3.3 GHz to 3.6 GHz 16 W + 125 C 35 dB Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B10G4750N12DL/LGA-7x7/REELDP 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 4.7 GHz to 5 GHz 12 W + 125 C 30 dB Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL 비재고 리드 타임 13 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-34 LDMOS 600 MHz to 800 MHz 46.9 dBm - 40 C + 120 C 34 dB Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B10H0608N40D/LGA-12x8/REEL 비재고 리드 타임 13 주
최소: 500
배수: 500
: 500

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-34 LDMOS 600 MHz to 800 MHz 46.9 dBm - 40 C + 120 C 34 dB Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL 비재고 리드 타임 13 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-34 LDMOS 700 MHz to 1 GHz 47 dBm - 40 C + 120 C 35 dB Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-36 LDMOS 1.8 GHz to 2.2 GHz 48.5 dBm + 125 C 32 dB Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP 비재고 리드 타임 13 주
최소: 300
배수: 300
: 300

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-36 LDMOS 1.8 GHz to 2.2 GHz 48.5 dBm + 200 C 32 dB Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-36 LDMOS 2.3 GHz to 2.7 GHz 49.5 dBm + 200 C 33.5 dB Reel