RF JFET 트랜지스터

결과: 20
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 트랜지스터 타입 기술 작동 주파수 이득 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Vgs - 게이트 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 장착 스타일 패키지/케이스 포장
Qorvo RF JFET 트랜지스터 0.40 mm Pwr pHEMT 300재고 상태
최소: 100
배수: 100
: 100

pHEMT GaAs 13 dB 0.41 mm x 0.34 mm Reel
Qorvo RF JFET 트랜지스터 0.80mm Pwr pHEMT 100재고 상태
최소: 100
배수: 100
: 100

pHEMT Reel
Qorvo RF JFET 트랜지스터 1.20mm Pwr pHEMT 100재고 상태
최소: 100
배수: 100

pHEMT Tray
Qorvo RF JFET 트랜지스터 1.60mm Pwr pHEMT 100재고 상태
최소: 100
배수: 100
: 100

pHEMT Reel
CEL RF JFET 트랜지스터 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C 140재고 상태
3,000예상 2026-08-24
최소: 1
배수: 1

pHEMT GaAs 20 GHz 11.9 dB 3 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
Qorvo RF JFET 트랜지스터 0.25 mm Pwr pHEMT 200재고 상태
최소: 100
배수: 100
: 100

pHEMT Reel
Qorvo RF JFET 트랜지스터 0.18 mm Pwr pHEMT 100재고 상태
최소: 100
배수: 100
: 100

pHEMT GaAs 14 dB SMD/SMT 0.41 mm x 0.34 mm Reel
Qorvo RF JFET 트랜지스터 0.60 mm Pwr pHEMT 100재고 상태
최소: 100
배수: 100
: 100

pHEMT Reel
CEL RF JFET 트랜지스터 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C 15,329재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

pHEMT GaAs 24 GHz 13.8 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL RF JFET 트랜지스터 RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 2,610재고 상태
최소: 1
배수: 1

pHEMT Si 12 GHz 14.1 dB 2 V - 400 mV 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL RF JFET 트랜지스터 RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 12,202재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 15,000

Si 12 GHz 14.1 dB 2 V - 400 mV 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL RF JFET 트랜지스터 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 4,584재고 상태
10,000예상 2026-12-18
최소: 1
배수: 1
: 10,000

pHEMT GaAs 12 GHz 13.7 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL RF JFET 트랜지스터 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 9,575재고 상태
11,000예상 2026-08-19
최소: 1
배수: 1
: 15,000

pHEMT GaAs 12 GHz 12.2 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL RF JFET 트랜지스터 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 996재고 상태
3,830예상 2026-08-19
최소: 1
배수: 1

pHEMT GaAs 12 GHz 13.7 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Bulk
CEL RF JFET 트랜지스터 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 22재고 상태
3,000예상 2027-02-03
최소: 1
배수: 1

pHEMT GaAs 12 GHz 12.2 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL CE3520K3
CEL RF JFET 트랜지스터 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C 270재고 상태
2,000예상 2026-08-19
최소: 1
배수: 1

pHEMT GaAs Bulk
MACOM CGHV1J070D-GP5
MACOM RF JFET 트랜지스터 DIE, 70W, 18.0GHz, GaN HEMT, GP5, 510438
비재고 리드 타임 26 주
최소: 50
배수: 50

CEL RF JFET 트랜지스터 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C 비재고 리드 타임 20 주
최소: 15,000
배수: 15,000
: 15,000

pHEMT GaAs 20 GHz 11.9 dB 3 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel
CEL CE7530K2-C1
CEL RF JFET 트랜지스터 비재고 리드 타임 20 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

Reel
CEL CE7531K3-C1
CEL RF JFET 트랜지스터 비재고 리드 타임 20 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

Reel