RF 트랜지스터

RF 트랜지스터의 유형

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STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 POWER R.F. 비재고 리드 타임 28 주
최소: 50
배수: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M174 Si 150 MHz 175 W - 65 C + 150 C 21.3 dB Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 POWER R.F. 비재고 리드 타임 28 주
최소: 50
배수: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M177 Si 200 MHz 350 W - 65 C + 150 C 29 dB Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz 리드 타임 28 주
최소: 1
배수: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M177 Si 100 MHz 300 W + 150 C 24 dB Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 60 W, 28 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor 비재고 리드 타임 28 주
최소: 60
배수: 60

RF MOSFET Transistors Screw Mount M246 Si 60 W - 65 C + 200 C Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 N-Ch 65 Volt 4 Amp 비재고 리드 타임 28 주
최소: 50
배수: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M243-3 Si 1 GHz 30 W - 65 C + 150 C 13 dB Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 N-Ch 65 Volt 4 Amp 비재고 리드 타임 28 주
최소: 50
배수: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M250 Si 1 GHz 30 W - 65 C + 150 C 13 dB Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 N-Ch 65 Volt 5 Amp 비재고 리드 타임 28 주
최소: 50
배수: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M250 Si 1 GHz 45 W - 65 C + 150 C 13 dB Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 250 W, 28/32 V RF Power LDMOS transistor from HF to 1 GHz 재고 없음
최소: 120
배수: 120
: 120

RF MOSFET Transistors SMD/SMT B4E-5 Si 945 MHz 250 W + 200 C 13.4 dB Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 10 W, 28 V, HF to 1.6 GHz RF Power LDMOS transistor 재고 없음
최소: 300
배수: 300
: 300

RF MOSFET Transistors SMD/SMT MM-2 Si 930 MHz 12 W + 200 C 21 dB Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz 비재고 리드 타임 28 주
최소: 1
배수: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M243-3 Si 1.5 GHz + 200 C Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 POWER R.F. 비재고 리드 타임 28 주
최소: 80
배수: 80

RF MOSFET Transistors SMD/SMT STAC-244B Si 250 MHz 580 W - 65 C + 150 C 24.6 dB Bulk
Microchip Technology RF MOSFET 트랜지스터 RF MOSFET (VDMOS) Full-Bridge 13.56 MHz Reference Design Kit 재고 없음
최소: 1
배수: 1
RF MOSFETs Screw Mount Si 30 MHz - 55 C + 175 C
Microchip Technology RF MOSFET 트랜지스터 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2 재고 없음
최소: 10
배수: 10
RF MOSFETs Screw Mount Si + 200 C 17 dB
Microchip Technology RF MOSFET 트랜지스터 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2 재고 없음
최소: 10
배수: 10
RF MOSFETs Screw Mount Si + 200 C 17 dB
Infineon Technologies RF 양극성 트랜지스터 RF BIP TRANSISTOR 비재고 리드 타임 15 주
최소: 12,000
배수: 12,000
: 3,000

RF Bipolar Transistors Bipolar Power Si Reel
Infineon Technologies RF 양극성 트랜지스터 RF BIP TRANSISTOR 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 3,000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT-343 Bipolar Power Si - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies RF 양극성 트랜지스터 RF BIP TRANSISTOR 비재고 리드 타임 15 주
최소: 9,000
배수: 9,000
: 3,000

RF Bipolar Transistors Bipolar Si Reel
Infineon Technologies RF 양극성 트랜지스터 RF BIP TRANSISTOR 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT343-4 Bipolar Si 25 GHz - 65 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies RF 양극성 트랜지스터 RF BIP TRANSISTOR 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

RF Bipolar Transistors SOT-343-4 Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies RF 양극성 트랜지스터 RF BIP TRANSISTOR 비재고 리드 타임 15 주
최소: 6,000
배수: 6,000
: 3,000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT-343 Bipolar Si 45 GHz AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies RF 양극성 트랜지스터 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW 비재고 리드 타임 26 주
최소: 15,000
배수: 15,000
: 3,000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT-23 Bipolar Si 8 GHz - 65 C + 150 C AEC-Q100 Reel
Toshiba RF MOSFET 트랜지스터 N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 1,000

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PW-X-4 Si 470 MHz 2.2 W 13.5 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba RF MOSFET 트랜지스터 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V 재고 없음
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

RF MOSFET Transistors SMD/SMT SOT-343-4 Si 520 MHz 200 mW 13 dB Reel
Toshiba RF MOSFET 트랜지스터 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V 재고 없음
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PW-X-4 Si 520 MHz 12 W 10.8 dB Reel
NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V 비재고 리드 타임 14 주
최소: 240
배수: 240
RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 1.8 MHz to 50 MHz 330 W + 150 C 28.2 dB Tube