RF MOSFET 트랜지스터

결과: 627
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 트랜지스터 극성 기술 Id - 연속 드레인 전류 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Rds On - 드레인 소스 저항 작동 주파수 이득 출력 전력 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLM9D0910-05AM/LGA-7x7/REELDP 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

LDMOS 65 V 859 MHz to 960 MHz 21 dB 5 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLM9D1819-08AM/LGA-7x7/REELDP 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

LDMOS 65 V 1.805 GHz to 1.88 GHz 30 dB 8 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLM9D1822-30B/SOT1462/REELDP 비재고 리드 타임 13 주
최소: 500
배수: 500
: 500

LDMOS 65 V 1.8 GHz to 2.2 GHz 31.3 dB 45.9 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLM9D1920-08AM/LGA-7x7/REELDP 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

LDMOS 65 V 1.88 GHz to 2.025 GHz 26.8 dB 39.6 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLM9D2022-08AM/LGA-7x7/REELDP 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

LDMOS 65 V 2.11 GHz to 2.17 GHz 29 dB 39.2 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLM9D2324-08AM/LGA-7x7/REELDP 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.4 GHz 29 dB 40 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP 비재고 리드 타임 13 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 31.3 dB 44.8 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLM9D2527-09AM/LGA-7x7/REELDP 비재고 리드 타임 13 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

LDMOS 65 V 2.496 GHz to 2.7 GHz 28 dB 40 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLM9D2527-09AM/LGA-7x7/REELDP 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

LDMOS 65 V 2.496 GHz to 2.7 GHz 28 dB 40 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLM9D3336-12AM/LGA-7x7/REELDP 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

LDMOS 65 V 3.3 GHz to 3.65 GHz 35.5 dB 40.9 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLM9D3336-14AM/LGA-7x7/REELDP 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

LDMOS 65 V 3.3 GHz to 3.65 GHz 31 dB 41.5 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLM9D3438-16AM/LGA-7x7/REELDP 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

LDMOS 65 V 3.4 GHz to 3.8 GHz 29.5 dB 42 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLM9D3538-12AM/LGA-7x7/REELDP 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

LDMOS 65 V 3.4 GHz to 3.8 GHz 36 dB 40 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLM9D3740-16AM/LGA-7x7/REELDP 비재고 리드 타임 13 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

LDMOS 65 V 3.7 GHz to 4 GHz 29 dB 41.5 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLM9D3740-16AM/LGA-7x7/REELDP 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

LDMOS 65 V 3.7 GHz to 4 GHz 29 dB 41.5 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLM9D3842-16AM/LGA-7x7/REELDP 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

LDMOS 65 V 3.8 GHz to 4.2 GHz 28 dB 40.5 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLP0408H9S30G/TO270/REEL 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1
: 100

N-Channel Si 1.4 uA 108 V 400 MHz to 860 MHz + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLP0408H9S30G/TO270/REEL 비재고 리드 타임 16 주
최소: 500
배수: 500
: 500

N-Channel Si 1.4 uA 108 V 400 MHz to 860 MHz + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLP0408H9S30/SOT1482/REELDP 비재고 리드 타임 16 주
최소: 500
배수: 500
: 500

N-Channel LDMOS 50 V 1.2 Ohms 400 MHz to 860 MHz 20.2 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLP0427M9S20GZ/SOT1483/REELDP 비재고 리드 타임 16 주
최소: 500
배수: 500
: 500

N-Channel LDMOS 65 V 500 mOhms 400 MHz to 2.7 GHz 19 dB 20 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLP0427M9S20Z/SOT1482/REELDP 비재고 리드 타임 16 주
최소: 500
배수: 500
: 500

N-Channel LDMOS 65 V 500 mOhms 400 MHz to 2.7 GHz 19 dB 20 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLP15H9S10G/TO270/REEL 비재고 리드 타임 16 주
최소: 100
배수: 100
: 100

N-Channel LDMOS 50 V 3.2 Ohms 2 GHz 21 dB 10 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLP15H9S10/TO270/REEL 비재고 리드 타임 16 주
최소: 500
배수: 500
: 500

N-Channel LDMOS 50 V 3.2 Ohms 2 GHz 21 dB 10 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLP15H9S30/TO270/REEL 비재고 리드 타임 16 주
최소: 500
배수: 500
: 500

N-Channel LDMOS 50 V 890 mOhms 2 GHz 22 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLP15M9S100G/TO270/REEL 비재고 리드 타임 16 주
최소: 100
배수: 100
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 143 mOhms 1.5 GHz 16 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel