RF MOSFET 트랜지스터

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 트랜지스터 극성 기술 Id - 연속 드레인 전류 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Rds On - 드레인 소스 저항 작동 주파수 이득 출력 전력 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz 비재고 리드 타임 28 주
최소: 50
배수: 50

N-Channel Si 40 A 200 V 100 MHz 24 dB 300 W + 150 C SMD/SMT M177 Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 60 W, 28 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor 비재고 리드 타임 28 주
최소: 60
배수: 60

N-Channel Si 8 A 65 V 60 W - 65 C + 200 C Screw Mount M246 Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 N-Ch 65 Volt 4 Amp 비재고 리드 타임 28 주
최소: 50
배수: 50

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 13 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M243-3 Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 N-Ch 65 Volt 4 Amp 비재고 리드 타임 28 주
최소: 50
배수: 50

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 13 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M250 Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 N-Ch 65 Volt 5 Amp 비재고 리드 타임 28 주
최소: 50
배수: 50

N-Channel Si 5 A 65 V 1 GHz 13 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M250 Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 250 W, 28/32 V RF Power LDMOS transistor from HF to 1 GHz 재고 없음
최소: 120
배수: 120
: 120

N-Channel Si 90 V 945 MHz 13.4 dB 250 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 10 W, 28 V, HF to 1.6 GHz RF Power LDMOS transistor 재고 없음
최소: 300
배수: 300
: 300

N-Channel Si 90 V 930 MHz 21 dB 12 W + 200 C SMD/SMT MM-2 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz 비재고 리드 타임 28 주
최소: 50
배수: 50

N-Channel Si 9 A 90 V 1.5 GHz + 200 C SMD/SMT M243-3 Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 POWER R.F. 비재고 리드 타임 28 주
최소: 80
배수: 80

N-Channel Si 20 A 250 V 250 MHz 24.6 dB 580 W - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC-244B Bulk
Microchip Technology RF MOSFET 트랜지스터 RF MOSFET (VDMOS) Full-Bridge 13.56 MHz Reference Design Kit 재고 없음
최소: 1
배수: 1
N-Channel Si 30 A 500 V 330 mOhms 30 MHz - 55 C + 175 C Screw Mount
Microchip Technology RF MOSFET 트랜지스터 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2 재고 없음
최소: 10
배수: 10
N-Channel Si 75 A 180 V 17 dB + 200 C Screw Mount
Microchip Technology RF MOSFET 트랜지스터 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2 재고 없음
최소: 10
배수: 10
N-Channel Si 75 A 180 V 17 dB + 200 C Screw Mount
Toshiba RF MOSFET 트랜지스터 N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS 재고 없음
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

N-Channel Si 3 A 10 V 470 MHz 13.5 dB 2.2 W SMD/SMT PW-X-4 Reel
Toshiba RF MOSFET 트랜지스터 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V 재고 없음
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

N-Channel Si 100 mA 20 V 520 MHz 13 dB 200 mW SMD/SMT SOT-343-4 Reel
Toshiba RF MOSFET 트랜지스터 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V 재고 없음
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

N-Channel Si 4 A 20 V 520 MHz 10.8 dB 12 W SMD/SMT PW-X-4 Reel
NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V 비재고 리드 타임 14 주
최소: 240
배수: 240
N-Channel Si 1.8 MHz to 50 MHz 28.2 dB 330 W + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V 비재고 리드 타임 26 주
최소: 20
배수: 20

N-Channel Si 6 mA 65 V 2 MHz to 175 MHz 13 dB 120 W SMD/SMT
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB 리드 타임 36 주
최소: 1
배수: 1

N-Channel Si 9 A 65 V 200 MHz 13 dB 80 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 221-11-3 Tray
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB 비재고 리드 타임 28 주
최소: 20
배수: 20

N-Channel Si 13 A 65 V 500 MHz 8.8 dB 100 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 333-04 Tray
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB 비재고 리드 타임 26 주
최소: 20
배수: 20
N-Channel Si 65 V 100 MHz to 500 MHz 10 dB 40 W - 55 C + 150 C SMD/SMT 319-07 Tray
CML Micro RF MOSFET 트랜지스터 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications 재고 없음
최소: 1
배수: 1

GaAs 90 mA to 120 mA 26 GHz 16 dB 25 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro RF MOSFET 트랜지스터 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications 재고 없음
최소: 1
배수: 1

GaAs 160 mA to 200 mA 18 GHz 13 dB 28.5 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro RF MOSFET 트랜지스터 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications 재고 없음
최소: 1
배수: 1

GaAs 40 mA to 60 mA 28 GHz 14 dB 21.5 dBm + 150 C Die Bulk
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 ART150PEG/REEL 비재고 리드 타임 16 주
최소: 500
배수: 500
: 500

N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 ART150PE/REELDP 비재고 리드 타임 16 주
최소: 500
배수: 500
: 500

N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel