트랜지스터의 유형
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ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ with Molded Modules
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ with Molded Modules
03-17-2026
Features 1200V rated voltage in 41.6mm × 52.5mm package and integrates 4th Generation SiC MOSFETs.
ROHM Semiconductor 750V N채널 SiC MOSFET
ROHM Semiconductor 750V N채널 SiC MOSFET
10-17-2025
장치는 스위칭 주파수를 높여 커패시터, 리액터 및 기타 필요한 부품을 줄입니다.
ROHM Semiconductor RD3x 오토모티브 N-채널 파워 MOSFET
ROHM Semiconductor RD3x 오토모티브 N-채널 파워 MOSFET
10-16-2025
AEC-Q101 인증 MOSFET으로, 낮은 순방향 전압, 빠른 리커버리 타임, 높은 서지 내성을 특징으로 합니다.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N-채널 SiC 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N-채널 SiC 전력 MOSFET
08-21-2025
1700V 드레인-소스 전압(VDSS) 및 3.9A 연속 드레인 전류(ID) 정격의 SiC MOSFET.
ROHM Semiconductor RQxAT P채널 MOSFET
ROHM Semiconductor RQxAT P채널 MOSFET
08-21-2025
낮은 온 상태 저항을 가진 표면 실장 패키징이 특징이며, 100% Rg 및 UIS 테스트 완료.
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG 전력 MOSFET
08-21-2025
낮은 온 상태 저항과 고출력 패키지가 특징인 N-채널 전력 MOSFET.
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P채널 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P채널 전력 MOSFET
08-19-2025
AEC-Q101 인증을 획득한 -30V VDSS 및 ±40A ID 정격의 자동차 등급 MOSFET.
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P-채널 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P-채널 전력 MOSFET
08-19-2025
-60V VDSS 및 ±36A ID 정격의 AEC-Q101 인증을 받은 자동차 등급 MOSFET입니다.
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N-채널 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N-채널 전력 MOSFET
08-19-2025
AEC-Q101 인증을 받은 100V VDSS 및 ±40A ID 정격의 자동차 등급 MOSFET입니다.
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P채널 소신호 MOSFET
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P채널 소신호 MOSFET
08-19-2025
-40V 드레인-소스 전압(VDSS) 및 ±4.0A 연속 드레인 전류(ID) 정격의 MOSFET.
ROHM Semiconductor RH7L04 60V N채널 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L04 60V N채널 전력 MOSFET
08-19-2025
AEC-Q101 인증, 60V VDSS 및 ±40A ID 정격의 자동차 등급 MOSFET.
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N채널 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N채널 전력 MOSFET
08-19-2025
AEC-Q101 인증을 획득한 40V VDSS 및 ±12A ID 정격의 자동차 등급 MOSFET.
ROHM Semiconductor RH7G04 40V N-채널 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor RH7G04 40V N-채널 전력 MOSFET
08-19-2025
이러한 장치는 AEC-Q101 인증, 40V VDSS 및 ±40A ID 정격의 자동차 등급 MOSFET입니다.
ROHM Semiconductor RH7L03 60V N-채널 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L03 60V N-채널 전력 MOSFET
08-19-2025
AEC-Q101 인증을 받은 60V VDSS 및 ±35A ID 정격의 자동차 등급 MOSFET입니다.
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 PNP 1.5A 160V 전력 트랜지스터
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 PNP 1.5A 160V 전력 트랜지스터
08-06-2025
ROHM Semiconductor 증폭기로 적합한 VCE(sat)가 낮은 전력 트랜지스터입니다.
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN 1.5A 160V 전력 트랜지스터
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN 1.5A 160V 전력 트랜지스터
08-06-2025
저주파 증폭기에 적합하고 낮은 VCE(sat)를 가진 전력 트랜지스터.
ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40V -40A P-채널 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40V -40A P-채널 전력 MOSFET
08-06-2025
이 MOSFET은 AEC-Q101 인증을 받은 자동차 등급 전력 MOSFET입니다.
ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRA 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRA 전력 MOSFET
08-04-2025
HSMT8AG 패키지로 제공되는 AEC-Q101 인증을 받은 자동차 등급 MOSFET입니다.
ROHM Semiconductor RxP120BLFRA 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor RxP120BLFRA 전력 MOSFET
07-22-2025
자동차 애플리케이션에 이상적인 AEC-Q101 인증을 받은 자동차 등급 MOSFET입니다.
ROHM Semiconductor RxL120BLFRA 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor RxL120BLFRA 전력 MOSFET
07-22-2025
ADAS, 인포테인먼트, 조명, & 차체를 위한 AEC-Q101 인증 자동차 등급 MOSFET.
ROHM Semiconductor SCT40xKWAN-채널 SiC 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor SCT40xKWAN-채널 SiC 전력 MOSFET
07-14-2025
특징1 200 VVDS, 낮은 온저항, 빠른 전환 속도, 빠른 복구 시간.
ROHM Semiconductor 소신호 듀얼 채널 MOSFET
ROHM Semiconductor 소신호 듀얼 채널 MOSFET
06-30-2025
낮은 온저항과 빠른 스위칭이 특징이며 모터 드라이브에 이상적입니다.
ROHM Semiconductor 오토모티브40 A&80 A파워 MOSFET
ROHM Semiconductor 오토모티브40 A&80 A파워 MOSFET
06-16-2025
낮은 온 저항을 특징으로 하며, ADAS, 자동차 전장, 조명 애플리케이션에 적합하게 설계되었습니다.
ROHM Semiconductor RV7E035ATP-채널 소신호 MOSFET
ROHM Semiconductor RV7E035ATP-채널 소신호 MOSFET
06-04-2025
저전압 스위칭 애플리케이션용으로 설계된 컴팩트·고성능 MOSFET 입니다.
ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRAP-Ch 파워 모스펫
ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRAP-Ch 파워 모스펫
03-13-2025
자동차용 AEC-Q101 인증 획득 (인포테인먼트, 조명, ADAS, 차체 제어 시스템 등에 적용 가능)
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    Renesas Electronics TP65B110HRU 양방향 스위치(BDS)
    Renesas Electronics TP65B110HRU 양방향 스위치(BDS)
    03-20-2026
    650 V및 110mΩ일반적으로 꺼짐질화갈륨(GaN) BDS는 컴팩트한 TOLT패키지에 있음.
    Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Power MOSFETs
    Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Power MOSFETs
    03-17-2026
    These are N-channel, normal level 80V or 100V MOSFETs with very low on-resistance [RDS(ON)].
    ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ with Molded Modules
    ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ with Molded Modules
    03-17-2026
    Features 1200V rated voltage in 41.6mm × 52.5mm package and integrates 4th Generation SiC MOSFETs.
    Infineon Technologies Medium-Voltage CoolGaN™ Bidirectional Switches
    Infineon Technologies Medium-Voltage CoolGaN™ Bidirectional Switches
    03-17-2026
    These devices are a great fit for serving as battery disconnect switches in various applications.
    onsemi NVMFD5873NL 듀얼 N-채널 전력 MOSFET
    onsemi NVMFD5873NL 듀얼 N-채널 전력 MOSFET
    03-13-2026
    높은 열 성능을 포함하여 컴팩트하고 효율적인 설계를 위해 설계되었습니다.
    Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
    Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
    03-10-2026
    Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.
    Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
    Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
    03-10-2026
    Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
    Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
    Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
    03-10-2026
    Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
    Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
    Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
    03-10-2026
    Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
    Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT
    Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT
    03-09-2026
    1.0GHz ~ 1.5GHz 주파수 범위에서 작동하는 까다로운 L-밴드 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.
    Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
    Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
    03-06-2026
    Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.
    EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
    EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
    03-05-2026
    Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
    EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
    EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
    03-05-2026
    Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.
    Infineon Technologies N-채널 OptiMOS™ 7 80V 전력 MOSFET
    Infineon Technologies N-채널 OptiMOS™ 7 80V 전력 MOSFET
    03-05-2026
    우수한 열 저항성을 제공하는 80V, N-채널, 정상 레벨 장치로서 PG‑TDSON‑8 패키지로 제공됩니다.
    EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
    EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
    03-05-2026
    Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.
    Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
    Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
    02-26-2026
    Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.
    Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
    Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
    02-26-2026
    Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.
    Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
    Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
    02-26-2026
    Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.
    iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs
    iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs
    02-19-2026
    Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.
    TDK-Lambda i1R O 링 MOSFET 모듈
    TDK-Lambda i1R O 링 MOSFET 모듈
    02-05-2026
    기존 다이오드를 대체 하도록 설계된 고효율 및 저 손실 전력 장치 입니다.
    IXYS X4-Class 전력 MOSFET
    IXYS X4-Class 전력 MOSFET
    02-02-2026
    향상된 효율성으로 저온 상태 저항과 전도 손실을 제공합니다.
    Qorvo QPD1014A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    Qorvo QPD1014A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    01-20-2026
    30MHz~1.2GHz에서 작동하는 15W(P3dB), 50Ω 입력 정합 이산 GaN-on-SiC HEMT.
    Qorvo QPD1011A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    Qorvo QPD1011A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    01-19-2026
    30MHz~1.2GHz에서 작동하는 7W (P3dB), 50Ω 입력 정합 이산 GaN-on-SiC HEMT.
    Qorvo QPD1004A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    Qorvo QPD1004A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    01-19-2026
    SiC HEMT 사이드 25W, 50Ω 입력 정합 이산 질화갈륨은 50V 전원 레일에서 30MHz~1,400MHz 범위에서 작동합니다.
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V N채널 전력 MOSFET
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V N채널 전력 MOSFET
    12-26-2025
    이 장치는 TCPAK1012(TopCool) 패키지에 낮은 QRR 및 소프트 복구 보디 다이오드를 제공합니다.
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