ROHM Semiconductor 2SAR579D3 PNP 1.5A 160V 전력 트랜지스터
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 PNP 1.5A 160V 전력 트랜지스터는 낮은 VCE(sat)를 특징으로 하며 저주파 증폭기로 적합합니다. 자동차 애플리케이션을 위한 매우 안정적인 제품이며 TO-252(DPAK) 패키지로 제공됩니다. ROHM Semiconductor 2SAR579D3 콜렉터-베이스 전압(VCBO) 및 콜렉터-이미터 전압(VCEO) 정격은 -160V이며 콜렉터 전류(IC) 정격은 -1.5A입니다.
특징
- 전력 드라이버로 적합
- 상호 보완적인 NPN 유형(2SCR579D3 FRA)
- 400mV(최대) 낮은 VCE(sat), (IC/IB = 1A/100mA)
사양
- -160V 콜렉터-베이스 전압(VCBO)
- -160V 콜렉터-이미터 전압(VCEO)
- -10V 이미터-베이스 전압(VEBO)
- ICP =-3.0A에서 -1.5A 콜렉터 전류
- 10W 전력 손실(PD)
- +150°C 접합 온도
회로 선도
관련 전력 트랜지스터
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN 1.5A 160V 전력 트랜지스터
저주파 증폭기에 적합하고 낮은 VCE(sat)를 가진 전력 트랜지스터.
게시일: 2025-07-22
| 갱신일: 2025-08-06