이산 반도체의 유형

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적용된 필터:

ROHM Semiconductor 고밀도 SiC 전력 모듈
ROHM Semiconductor 고밀도 SiC 전력 모듈
04-10-2026
TRCDRIVE pack™, DOT-247 및 HSDIP20 패키지는 고성능 전력 변환(high-performance power conversion)에 기여합니다.
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE 패키지™ (성형 모듈 포함)
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE 패키지™ (성형 모듈 포함)
03-17-2026
41.6 mm × 52.5 mm  패키지로 제공되는 1 200 V 정격 전압이 특징이며 4 세대 SiC MOSFET을 통합하고 있습니다.
ROHM Semiconductor RJ1P10BAT P-Channel Power MOSFET
ROHM Semiconductor RJ1P10BAT P-Channel Power MOSFET
11-18-2025
This MOSFET has a VDSS rating of -100V and an ID rating (VDS = 10V) of ±105A.
ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA P-Channel Power MOSFET
ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA P-Channel Power MOSFET
11-18-2025
This MOSFET has a VDSS rating of -40V and an ID rating (VDS = -10V) of ±22A.
ROHM Semiconductor 750V N채널 SiC MOSFET
ROHM Semiconductor 750V N채널 SiC MOSFET
10-17-2025
장치는 스위칭 주파수를 높여 커패시터, 리액터 및 기타 필요한 부품을 줄입니다.
ROHM Semiconductor RD3x 오토모티브 N-채널 파워 MOSFET
ROHM Semiconductor RD3x 오토모티브 N-채널 파워 MOSFET
10-16-2025
AEC-Q101 인증 MOSFET으로, 낮은 순방향 전압, 빠른 리커버리 타임, 높은 서지 내성을 특징으로 합니다.
ROHM Semiconductor RF202LB2S 초고속 복구 다이오드
ROHM Semiconductor RF202LB2S 초고속 복구 다이오드
08-21-2025
실리콘 에피택셜 평면 구조를 채용한 초고속 복구 다이오드로, 낮은 순방향 전압(VF)과 매우 낮은 스위칭 손실을 실현한 것이 특징입니다.
ROHM Semiconductor RQxAT P채널 MOSFET
ROHM Semiconductor RQxAT P채널 MOSFET
08-21-2025
낮은 온 상태 저항을 가진 표면 실장 패키징이 특징이며, 100% Rg 및 UIS 테스트 완료.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N-채널 SiC 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N-채널 SiC 전력 MOSFET
08-21-2025
1700V 드레인-소스 전압(VDSS) 및 3.9A 연속 드레인 전류(ID) 정격의 SiC MOSFET.
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG 전력 MOSFET
08-21-2025
낮은 온 상태 저항과 고출력 패키지가 특징인 N-채널 전력 MOSFET.
ROHM Semiconductor RNxMFH 오토모티브 등급 PIN 다이오드
ROHM Semiconductor RNxMFH 오토모티브 등급 PIN 다이오드
08-21-2025
고주파 스위칭에 적합한 초소형 몰드 패키지의 자동차 등급 다이오드입니다.
ROHM Semiconductor RN242SM PIN 다이오드
ROHM Semiconductor RN242SM PIN 다이오드
08-20-2025
낮은 정전용량과 고주파 스위칭에 적합한 초소형 몰드 패키지가 특징입니다.
ROHM Semiconductor RH7G04 40V N-채널 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor RH7G04 40V N-채널 전력 MOSFET
08-19-2025
이러한 장치는 AEC-Q101 인증, 40V VDSS 및 ±40A ID 정격의 자동차 등급 MOSFET입니다.
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P-채널 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P-채널 전력 MOSFET
08-19-2025
-60V VDSS 및 ±36A ID 정격의 AEC-Q101 인증을 받은 자동차 등급 MOSFET입니다.
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N채널 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N채널 전력 MOSFET
08-19-2025
AEC-Q101 인증을 획득한 40V VDSS 및 ±12A ID 정격의 자동차 등급 MOSFET.
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P채널 소신호 MOSFET
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P채널 소신호 MOSFET
08-19-2025
-40V 드레인-소스 전압(VDSS) 및 ±4.0A 연속 드레인 전류(ID) 정격의 MOSFET.
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P채널 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P채널 전력 MOSFET
08-19-2025
AEC-Q101 인증을 획득한 -30V VDSS 및 ±40A ID 정격의 자동차 등급 MOSFET.
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5mA 제너 다이오드
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5mA 제너 다이오드
08-19-2025
장치는 전압 조정 애플리케이션에 적합한 소형 파워 몰드 패키지로 제공됩니다.
ROHM Semiconductor RH7L04 60V N채널 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L04 60V N채널 전력 MOSFET
08-19-2025
AEC-Q101 인증, 60V VDSS 및 ±40A ID 정격의 자동차 등급 MOSFET.
ROHM Semiconductor RH7L03 60V N-채널 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L03 60V N-채널 전력 MOSFET
08-19-2025
AEC-Q101 인증을 받은 60V VDSS 및 ±35A ID 정격의 자동차 등급 MOSFET입니다.
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N-채널 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N-채널 전력 MOSFET
08-19-2025
AEC-Q101 인증을 받은 100V VDSS 및 ±40A ID 정격의 자동차 등급 MOSFET입니다.
ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40V -40A P-채널 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40V -40A P-채널 전력 MOSFET
08-06-2025
이 MOSFET은 AEC-Q101 인증을 받은 자동차 등급 전력 MOSFET입니다.
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 PNP 1.5A 160V 전력 트랜지스터
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 PNP 1.5A 160V 전력 트랜지스터
08-06-2025
ROHM Semiconductor 증폭기로 적합한 VCE(sat)가 낮은 전력 트랜지스터입니다.
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN 1.5A 160V 전력 트랜지스터
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN 1.5A 160V 전력 트랜지스터
08-06-2025
저주파 증폭기에 적합하고 낮은 VCE(sat)를 가진 전력 트랜지스터.
ROHM Semiconductor PBZLx 제너 다이오드
ROHM Semiconductor PBZLx 제너 다이오드
08-04-2025
전압 조정 애플리케이션용으로 설계되었으며 최대 전력 손실이 1,000mW입니다.
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    Bourns CDDFN2 Surface Mount TVS Diodes
    Bourns CDDFN2 Surface Mount TVS Diodes
    07-07-2026
    ESD, EFT, and surge protection for external ports of electronic devices, limiting critical damage.
    Semtech RCLAMP2891PQ TVS 다이오드
    Semtech RCLAMP2891PQ TVS 다이오드
    06-30-2026
    초정전용량 1-line 28V TVS 다이오드는 속도 신호선을 ESD 및 EOS로부터 보호합니다.
    Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode
    Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode
    06-29-2026
    Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.
    Littelfuse TVS SPA 다이오드 어레이
    Littelfuse TVS SPA 다이오드 어레이
    06-26-2026
    데이터 및 전원 인터페이스 전반에 걸쳐 ESD EFT 및서지 보호를 위한 TVS 다이오드 어레이.
    Bourns CDSOD323-T24LC-Q 자동차 등급 TVS 다이오드
    Bourns CDSOD323-T24LC-Q 자동차 등급 TVS 다이오드
    06-26-2026
    소형 SOD-323 패키지의 양방향 자동차 등급 TVS 다이오드입니다.
    Bourns CDSOD323-TxxSC-Q TVS 다이오드
    Bourns CDSOD323-TxxSC-Q TVS 다이오드
    06-25-2026
    양방향 구성으로 3V에서 36V까지 다양한 전압 옵션을 제공합니다.
    Diodes Incorporated D3V3ZF1BD2CSP 양방향 TVS 다이오드
    Diodes Incorporated D3V3ZF1BD2CSP 양방향 TVS 다이오드
    06-22-2026
    고속 차동 라인을 보호하기 위해 특별히 설계된 저용량 장치입니다.
    Vishay MXP075 MaxSiC® 750V N-채널 MOSFET
    Vishay MXP075 MaxSiC® 750V N-채널 MOSFET
    06-19-2026
    750V의 드레인-소스 전압, 빠른 전환 속도 및 3μs의 단락 견딤 시간을 특징으로 합니다.
    Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    06-18-2026
    Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
    Infineon Technologies EasyPACK™ S 모듈
    Infineon Technologies EasyPACK™ S 모듈
    06-12-2026
    현대 전력 설계를 위해 제작된 소형 패키지로 효율적인 전력 변환이 가능합니다.
    Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100 V 자동차 전력 MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100 V 자동차 전력 MOSFET
    05-27-2026
    고효율 전력 스위칭을 위해 설계된 고급 N채널 장치입니다.
    Texas Instruments 2N7002L 6V N채널 MOSFET
    Texas Instruments 2N7002L 6V N채널 MOSFET
    05-18-2026
    빠른 스위칭 성능을 유지하면서 온 상태 저항을 최소화하도록 설계되었습니다.
    Bourns CDSOT23-SM712-Q 표면 실장형 TVS 다이오드
    Bourns CDSOT23-SM712-Q 표면 실장형 TVS 다이오드
    05-12-2026
    IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 및 IEC 61000-4-5에 따라 데이터 포트에 대한 보호 기능을 제공합니다.
    Infineon Technologies CIPOS™ Prime 자동차 CoolSiC™ 파워 모듈
    Infineon Technologies CIPOS™ Prime 자동차 CoolSiC™ 파워 모듈
    05-06-2026
    파워 모듈은 xEV 애플리케이션에서 고성능을 발휘하도록 설계되었습니다.
    Littelfuse AK-FL TVS 다이오드
    Littelfuse AK-FL TVS 다이오드
    05-04-2026
    축형 리드, FlatSuppressX™ 평면 및 낮은 클램핑 양방향 TVS 다이오드.
    Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS 다이오드
    Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS 다이오드
    05-04-2026
    10/1,000µs 파형을 사용하여 5,000W 피크 펄스 전력 기능 및 6.5W 전력 손실을 제공합니다.
    Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS 다이오드
    Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS 다이오드
    05-04-2026
    전자 장비를 전압 변동으로부터 보호하기 위해 특별히 설계되었습니다.
    RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
    RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
    04-24-2026
    Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.
    Littelfuse SJx08x 고온 SCR
    Littelfuse SJx08x 고온 SCR
    04-24-2026
    최대 800V의 전압, 최대 100A의 서지 전류 성능, +150°C의 정격 온도.
    Littelfuse QVx35xHx 고온 Alternistor 트라이액
    Littelfuse QVx35xHx 고온 Alternistor 트라이액
    04-24-2026
    35A 정격 전류를 제공하며, TO-220AB, TO-220 절연형, TO-263 패키지로 제공됩니다.
    Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
    Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
    04-16-2026
    Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.
    onsemi NVBYST0D8N08X 단일 N-채널 전력 MOSFET
    onsemi NVBYST0D8N08X 단일 N-채널 전력 MOSFET
    04-14-2026
    고전압 작동에 최적화되어 있으며 빠른 스위칭과 고전류 스트레스를 견딜 수 있습니다.
    ROHM Semiconductor 고밀도 SiC 전력 모듈
    ROHM Semiconductor 고밀도 SiC 전력 모듈
    04-10-2026
    TRCDRIVE pack™, DOT-247 및 HSDIP20 패키지는 고성능 전력 변환(high-performance power conversion)에 기여합니다.
    Vishay RS07x 고속 복구 정류기
    Vishay RS07x 고속 복구 정류기
    04-07-2026
    최대 VRRM이 100 V ~ 800 V인 유리 패시베이션 표면 실장 정류기입니다.
    Vishay S07x-M표준복구고압정류기
    Vishay S07x-M표준복구고압정류기
    04-07-2026
    최대 VRRM이 100 V ~ 1 000 V인 유리 패시베이션 표면 실장 정류기입니다.
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