SCTH60N120G2-7

Name: STMicroelectronics SCTH60N120G2-7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTH60N120G2-7
Price: 24060 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

511-SCTH60N120G2-7

제조업체 번호:

SCTH60N120G2-7

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

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라이프사이클:

수명 종료:

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데이터시트:

SCTH60N120G2-7 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	H2PAK-7
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	1.2 kV
Id - 연속 드레인 전류:	60 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	52 mOhms
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3 V
Qg - 게이트 전하:	94 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	390 W
채널 모드:	Enhancement
브랜드:	STMicroelectronics
구성:	Single
하강 시간:	14 ns
포장:	Reel
제품 유형:	SiC MOSFETS
상승 시간:	15 ns
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
표준 턴-오프 지연 시간:	32 ns
표준 턴-온 지연 시간:	16 ns

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문서 필터:

데이터시트

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EOL

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PCN

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ECCN:: EAR99

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.