SICWx 탄화 규소 (SiC) MOSFET

MCC(마이크로 상업적 구성요소) SICWx SiC(탄화 규소 ) MOSFET은 고속 스위칭 650V SiC MOSFET입니다. 이 MOSFET은 SiC MOSFET 기술을 활용하고 고전압 애플리케이션에 매우 적합하며 혹독한 산업 환경에서 안정적으로 작동합니다. SICWx MOSFET은 저RDS(on) 와 저게이트 전하로 설계되어 스위칭 손실을 줄이고 전체 시스템 효율성을 높이는 데 기여합니다. 효율 향상 설계 및 TO-247 패키지는 우수한 열 성능을 제공하는 반면 , 3 핀 또는 4핀(켈빈 소스핀)옵션은 다 목적성을 향상시킵니다. SICWx MOSFET은 견고한 설계와 애벌랜치로 제작되어 더 나은 열 관리와 효율성을 지원합니다. 이 MOSFET은 전원 공급 장치, 전기 통신, 재생 에너지 시스템 및 모터 드라이브에 사용하기에 적합합니다.

결과: 6
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4
데이터시트
360재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 107 A 35 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 275 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
데이터시트
151재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 107 A 35 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 275 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
데이터시트
336재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 121 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4
데이터시트
355재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 121 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
데이터시트
337재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 130 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4
데이터시트
360재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 130 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement