UJ4C/SC 750 V Gen 4 SiC FET

Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FET는 전도 손실을 줄이고 더 빠른 속도로 효율을 높여 전반적인 비용 효율성을 개선하는, 업계 최고의 성능 지수를 제공하는 고성능 시리즈입니다. 5.4mΩ ~60mΩ 옵션으로 제공되는 Gen 4 시리즈는 고성능 SiC JFET가 캐스코드 최적화된 Si-MOSFET과 함께 패키지되어 표준 게이트 드라이브 SiC 장치를 만듭니다. UJ4C/SC 750V FET의 표준 게이트 드라이브 특성 덕분에 “드롭-인 교체” 기능을 지원합니다. 설계자는 기존 Si IGBT, Si FET, SiC FET 또는 Si 초접합 소자를 Qorvo UJ4C/SC FET로 대체하여 게이트 드라이브 전압을 변경하지 않고 시스템 성능을 크게 향상할 수 있습니다.

결과: 29
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
상표명
onsemi SiC MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO263-7
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688재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO263-7
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1,247재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO263-7
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812재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO263-7
데이터시트
490재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO247-4
데이터시트
650재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO247-3
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593재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO263-7
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764재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO247-3
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558재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247-3
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2,130재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO247-4
데이터시트
843재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO247-4
데이터시트
1,026재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO247-3
데이터시트
472재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/5MOSICFETG4TOLL
데이터시트
1,448재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/8MOSICFETG4TOLL
데이터시트
1,424재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TOLL
데이터시트
1,725재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TOLL
데이터시트
2,815재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TOLL
데이터시트
2,844재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 35.6 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TOLL
데이터시트
3,950재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 27.8 A 58 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO263-7
데이터시트
904재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/11MOSICFETG4TO263-7
데이터시트
347재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 800

SMD/SMT D2PAK-7L N-Channel 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TOLL
데이터시트
1,271재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO247-3
데이터시트
224재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO247-4
데이터시트
1,527재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/11MOSICFETG4TO247-4
데이터시트
688재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/6MOSICFETG4TO247-4
데이터시트
5재고 상태
600예상 2026-08-07
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET