1,200V CoolSiC™ 모듈

Infineon Technologies의 1,200V CoolSiC™ 모듈은 우수한 효율과 시스템 유연성을 제공하는 SiC(탄화 규소) MOSFET 모듈입니다. 이 모듈은 NTC(Near Threshold Circuits) 및 PressFIT 접점 기술이 적용되었습니다. CoolSiC 모듈은 높은 전류 밀도, 동급 최고의 스위칭 및 전도 손실, 낮은 유도성 설계가 특징입니다. 이 모듈은 고주파 작동, 향상된 전력 밀도, 최적화된 개발 주기 시간 및 비용을 제공합니다.

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결과: 37
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수량 RoHS 제품 유형
기술
장착 스타일
패키지/케이스
Infineon Technologies MOSFET 모듈 EASY
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19재고 상태
최소: 1
배수: 1
MOSFET Modules SiC Press Fit Module
Infineon Technologies MOSFET 모듈 Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
데이터시트
16재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFET Modules Si SMD/SMT

Infineon Technologies MOSFET 모듈 Sixpack 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
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36재고 상태
최소: 1
배수: 1
MOSFET Modules Si
Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET
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2재고 상태
10예상 2026-10-29
최소: 1
배수: 1

Discrete Semiconductor Modules SiC Stud Mount
Infineon Technologies MOSFET 모듈 EASY PACK SIC
데이터시트
59재고 상태
48예상 2026-07-14
최소: 1
배수: 1

MOSFET Modules SiC Press Fit


Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 CoolSiC MOSFET booster module 1200 V
데이터시트
22재고 상태
최소: 1
배수: 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 다이오드 모듈 1600 V, 50 A EasyBRIDGE Diode Module
데이터시트
22재고 상태
최소: 1
배수: 1

Diode Modules SiC Screw Mount
Infineon Technologies MOSFET 모듈 EASY
데이터시트
30주문 중
최소: 1
배수: 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Module
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1예상 2026-02-13
최소: 1
배수: 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 정류기 THYR / DIODE MODULE DK
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2
배수: 2

Rectifier Diode Module Screw Mount Non-standard
Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
데이터시트
비재고 리드 타임 39 주
최소: 12
배수: 12

Discrete Semiconductor Modules SiC
Infineon Technologies IGBT 모듈 HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
데이터시트
비재고 리드 타임 44 주
최소: 12
배수: 12

IGBT Modules SiC, Si