이산 반도체의 유형
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Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS 다이오드
Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS 다이오드
05-04-2026
전압 과도 현상으로부터 민감한 전자 장비를 보호하기 위해 특별히 설계되었습니다.
Littelfuse TP5.0SMD-FLFlatSuppressX™TVS 다이오드
Littelfuse TP5.0SMD-FLFlatSuppressX™TVS 다이오드
05-04-2026
10/1000µs 파형을 사용하는 5 000 W 피크 펄스 전력 기능 및 6.5 W전력 손실.
Littelfuse AK-FL TVS 다이오드
Littelfuse AK-FL TVS 다이오드
05-04-2026
축형 리드, FlatSuppressX™ 평면형 및 낮은 클램핑 양방향 TVS 다이오드.
Littelfuse SJx08x 고온 SCR
Littelfuse SJx08x 고온 SCR
04-24-2026
최대 800V 전압, 최대 100A 서지 전류 처리 능력, 그리고 +150°C 온도 정격을 제공합니다.
Littelfuse QVx35xHx 고온 알터니스터 트라이액
Littelfuse QVx35xHx 고온 알터니스터 트라이액
04-24-2026
35A 정격 전류를 제공하며, TO-220AB, TO-220 절연형, TO-263 패키지로 제공됩니다.
RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
04-24-2026
Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.
Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
04-16-2026
Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.
onsemi NVBYST0D8N08X 단일 N-채널 전력 MOSFET
onsemi NVBYST0D8N08X 단일 N-채널 전력 MOSFET
04-14-2026
고전압 작동에 최적화되어 있으며 빠른 스위칭과 고전류 스트레스를 견딜 수 있습니다.
ROHM Semiconductor 고밀도 SiC 전력 모듈
ROHM Semiconductor 고밀도 SiC 전력 모듈
04-10-2026
TRCDRIVE pack™, DOT-247 및 HSDIP20 패키지는 고성능 전력 변환(high-performance power conversion)에 기여합니다.
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04-07-2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
Vishay RS07x 고속 복구 정류기
Vishay RS07x 고속 복구 정류기
04-07-2026
최대 VRRM이 100 V ~ 800 V인 유리 패시베이션 표면 실장 정류기입니다.
Vishay S07x-M표준복구고압정류기
Vishay S07x-M표준복구고압정류기
04-07-2026
최대 VRRM이 100 V ~ 1 000 V인 유리 패시베이션 표면 실장 정류기입니다.
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
04-06-2026
고속 스위칭 애플리케이션을 위해 낮은 Rg로 설계된 이중 N-채널 MOSFET.
Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
04-02-2026
AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.
Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
04-02-2026
High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.
Vishay VS-HOT200C080 200 A 80 V 전력 MOSFET 모듈
Vishay VS-HOT200C080 200 A 80 V 전력 MOSFET 모듈
04-02-2026
이 장치는 표준 개별 소자 솔루션과 비교하여 회로 기판 공간 요구 사항을 최대 15%까지 줄여줍니다.
STMicroelectronics STL059N4S8AG 전력 MOSFET
STMicroelectronics STL059N4S8AG 전력 MOSFET
03-31-2026
Smart STripFET F8 기술로 설계된 40V N-채널 증가 모드 전력 MOSFET입니다.
Toshiba N 채널/P 채널 전력 MOSFET
Toshiba N 채널/P 채널 전력 MOSFET
03-31-2026
고속 스위칭, 전원 관리 스위치, DC-DC 컨버터 및 모터 드라이버에 이상적입니다.    
Infineon Technologies N-채널 OptiMOS™ 7 25V 전력 MOSFET
Infineon Technologies N-채널 OptiMOS™ 7 25V 전력 MOSFET
03-27-2026
애플리케이션에 최적화된 성능을 제공하여 데이터 센터, 서버 및 AI를 위한 피크 성능을 구현합니다.
Infineon Technologies ESD 보호용 다목적 다이오드
Infineon Technologies ESD 보호용 다목적 다이오드
03-27-2026
작은 설치 공간에 최상의 보호 기능을 제공하는 이 다이오드는 우수한 ESD 성능을 제공합니다.
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60 V 전력 MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60 V 전력 MOSFET
03-27-2026
강력한 전력 MOSFET 기술을 통해 OptiMOS 5보다 우수한 성능을 제공합니다. 
RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifiers
RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifiers
03-24-2026
Compact and ideal for micro-power isolated power supply applications with limited space.
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
03-24-2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
Renesas Electronics TP65B110HRU 양방향 스위치(BDS)
Renesas Electronics TP65B110HRU 양방향 스위치(BDS)
03-20-2026
650 V및 110mΩ일반적으로 꺼짐질화갈륨(GaN) BDS는 컴팩트한 TOLT패키지에 있음.
Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS
Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS
03-18-2026
TVSs are bidirectional, 3000W peak-pulse-power devices ideal for automated placement.
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