1,200V CoolSiC™ 모듈

Infineon Technologies의 1,200V CoolSiC™ 모듈은 우수한 효율과 시스템 유연성을 제공하는 SiC(탄화 규소) MOSFET 모듈입니다. 이 모듈은 NTC(Near Threshold Circuits) 및 PressFIT 접점 기술이 적용되었습니다. CoolSiC 모듈은 높은 전류 밀도, 동급 최고의 스위칭 및 전도 손실, 낮은 유도성 설계가 특징입니다. 이 모듈은 고주파 작동, 향상된 전력 밀도, 최적화된 개발 주기 시간 및 비용을 제공합니다.

이산 반도체의 유형

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Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 HYBRID PACK DRIVE G1 SIC 20재고 상태
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Discrete Semiconductor Modules SiC
Infineon Technologies MOSFET 모듈 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module 25재고 상태
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배수: 1

MOSFET Modules Si SMD/SMT
Infineon Technologies IGBT 모듈 EconoPACK 3 module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode and NTC 28재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET 모듈 EASY 15재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET 모듈 EASY 18재고 상태
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배수: 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET 모듈 EASY 28재고 상태
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배수: 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET 모듈 EASY 14재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET 모듈 EasyPACK 2B module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC 30재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFET Modules Si Press Fit
Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC 24재고 상태
최소: 1
배수: 1

Discrete Semiconductor Modules Si SMD/SMT
Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC 4재고 상태
최소: 1
배수: 1

Discrete Semiconductor Modules Si Press Fit
Infineon Technologies MOSFET 모듈 EASY 6재고 상태
15예상 2026-02-20
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배수: 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET 모듈 EconoDUAL 3 CoolSiC MOSFET 1200 V module 16재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V 20재고 상태
최소: 1
배수: 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V 16재고 상태
최소: 1
배수: 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 MEDIUM POWER 62MM 13재고 상태
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배수: 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 MEDIUM POWER 62MM 21재고 상태
최소: 1
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Discrete Semiconductor Modules Si


Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module 39재고 상태
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Discrete Semiconductor Modules Si


Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module 24재고 상태
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Discrete Semiconductor Modules Si


Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module 17재고 상태
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배수: 1

Discrete Semiconductor Modules Si


Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 CoolSiC MOSFET booster module 1200 V 24재고 상태
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Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET 5재고 상태
최소: 1
배수: 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET 3재고 상태
최소: 1
배수: 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET 8재고 상태
최소: 1
배수: 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET 22재고 상태
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배수: 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET 29재고 상태
최소: 1
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Discrete Semiconductor Modules Si