GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.

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MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
70재고 상태
최소: 10
배수: 10

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 6 A 200 mOhms - 3 V + 225 C
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt 680재고 상태
최소: 10
배수: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
725재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 2 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
30재고 상태
최소: 10
배수: 10

SMD/SMT Die N-Channel 50 V
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
40재고 상태
최소: 10
배수: 10

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 120 V 6 A 250 mOhms - 3 V
MACOM GaN FET GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
17재고 상태
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
20재고 상태
최소: 10
배수: 10

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 100 V 2 A 600 mOhms - 3 V
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt 10재고 상태
최소: 10
배수: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 120 V 3 A 500 mOhms - 3 V
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt 2,534재고 상태
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt 170재고 상태
640주문 중
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt 87재고 상태
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt 179재고 상태
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 8.7 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt 4재고 상태
175주문 중
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt 66재고 상태
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt 2재고 상태
10예상 2026-08-14
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT 1 Channel 125 V - 3 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt 5재고 상태
1,200예상 2026-08-14
최소: 1
배수: 1
: 200

SMD/SMT QFN-6 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
567주문 중
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT 440109 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
471주문 중
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 4.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
21예상 2026-12-14
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
750예상 2026-09-15
최소: 1
배수: 1
: 250

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 950 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
344주문 중
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 100 V 4.2 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt 비재고 리드 타임 26 주
최소: 100
배수: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 1.5 A 1 Ohms - 3 V
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
비재고 리드 타임 26 주
최소: 40
배수: 10

SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 120 V 12 A 100 mOhms - 3 V
MACOM GaN FET GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440162 N-Channel 150 V 18 A - 3 V - 40 C + 130 C