GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 최저 작동온도 최고 작동온도
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt 700재고 상태
최소: 10
배수: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt 21재고 상태
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt 143재고 상태
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt 10재고 상태
최소: 10
배수: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 120 V 3 A 500 mOhms - 3 V
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
40재고 상태
최소: 10
배수: 10

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 120 V 6 A 250 mOhms - 3 V
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
30재고 상태
최소: 10
배수: 10

SMD/SMT Die N-Channel 50 V
MACOM GaN FET GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt 93재고 상태
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
17재고 상태
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt 50재고 상태
최소: 10
배수: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 1.5 A 1 Ohms - 3 V
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt 394재고 상태
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT 440109 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt 1,119재고 상태
480주문 중
최소: 1
배수: 1
: 200

SMD/SMT QFN-6 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt 3,326재고 상태
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt 388재고 상태
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt 183재고 상태
400예상 2026-05-18
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 4.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt 33재고 상태
100예상 2026-08-06
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt 375재고 상태
250예상 2026-04-09
최소: 1
배수: 1
: 250

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 950 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
70재고 상태
최소: 10
배수: 10

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 6 A 200 mOhms - 3 V + 225 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt 364재고 상태
250주문 중
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 8.7 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
10재고 상태
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT 1 Channel 125 V - 3 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
20재고 상태
최소: 10
배수: 10

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 100 V 2 A 600 mOhms - 3 V
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt 5재고 상태
100예상 2026-04-03
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 100 V 4.2 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
748예상 2026-03-16
최소: 1
배수: 1
: 250

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 2 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
비재고 리드 타임 26 주
최소: 10
배수: 10

SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 120 V 12 A 100 mOhms - 3 V
MACOM GaN FET GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt 비재고 리드 타임 26 주
최소: 25
배수: 25

Screw Mount 440162 N-Channel 150 V 18 A - 3 V - 40 C + 130 C