CGH40180PP

MACOM
941-CGH40180PP
CGH40180PP

제조업체:

설명:
GaN FET GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt

데이터시트:
ECAD 모델:
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제품 속성 속성 값 속성 선택
MACOM
제품 카테고리: GaN FET
RoHS:  
Screw Mount
440199
N-Channel
2 Channel
120 V
24 A
- 3 V
- 40 C
+ 150 C
브랜드: MACOM
구성: Dual
개발 키트: CGH40180PP-TB
이득: 19 dB
최대 작동 주파수: 2.5 GHz
최소 작동 주파수: 1 GHz
출력 전력: 220 W
포장: Tray
제품: GaN HEMTs
제품 유형: GaN FETs
팩토리 팩 수량: 10
하위 범주: Transistors
기술: GaN
트랜지스터 타입: GaN HEMT
Vgs - 게이트 소스 항복 전압: - 10 V to 2 V
단위 중량: 29.304 g
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KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.

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