MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Qrr, trr) and shows 20% lower RDS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.

결과: 36
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
데이터시트
682재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
데이터시트
325재고 상태
600주문 중
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 200 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement FDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
데이터시트
184재고 상태
1,800예상 2027-01-29
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 130 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 39 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
데이터시트
6재고 상태
2,400주문 중
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 65 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
데이터시트
211재고 상태
600예상 2027-07-02
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 60 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 90 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
데이터시트
11재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
데이터시트
4,990예상 2027-06-11
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 570 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 4 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
데이터시트
1,000예상 2027-04-30
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 130 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 39 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 125 mOhm typ., 21 A MDmesh DM6 Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV
데이터시트
비재고 리드 타임 32 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 140 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 35 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
데이터시트
리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 600
배수: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 130 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube