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STF28N60DM2

Name: STMicroelectronics STF28N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF28N60DM2
Price: 5831 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STF28N60DM2

제조업체 번호:

STF28N60DM2

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

MOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa

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데이터시트:

STF28N60DM2 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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재고 상태: 457

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수량	단가	합계
	₩5,831.2	₩5,831
	₩2,974.8	₩29,748
	₩2,693.6	₩269,360
	₩2,249.6	₩1,124,800

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-220-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	600 V
Id - 연속 드레인 전류:	21 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	130 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 25 V, 25 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3 V
Qg - 게이트 전하:	34 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	30 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	MDmesh
포장:	Tube
브랜드:	STMicroelectronics
구성:	Single
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	CN
하강 시간:	9.3 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	7.3 ns
시리즈:	STF28N60DM2
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	53 ns
표준 턴-온 지연 시간:	16 ns
단위 중량:	2 g

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

STF28N60DM2 데이터시트 (PDF)

PCN

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Q_rr, t_rr) and shows 20% lower R_DS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.

N-Channel FDmesh Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel FDmesh™ Power MOSFETs are a power MOSFET which belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to STMicroelectronic's strip layout and associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. These MOSFETs feature fast recovery, low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and extremely high dv/dt and avalanche capabilities.