STW33N60DM2

STMicroelectronics
511-STW33N60DM2
STW33N60DM2

제조업체:

설명:
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
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제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
130 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
43 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
MDmesh
Tube
브랜드: STMicroelectronics
구성: Single
COA(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): SG
하강 시간: 9 ns
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 8 ns
시리즈: STW33N60DM2
팩토리 팩 수량: 600
하위 범주: Transistors
표준 턴-오프 지연 시간: 62 ns
표준 턴-온 지연 시간: 17 ns
단위 중량: 6 g
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
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속성 선택됨: 0

KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Qrr, trr) and shows 20% lower RDS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.

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