OptiMOS™ 6 전력 MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 전력 MOSFET은 차세대 최첨단 혁신 기술과 동급 최고의 성능을 제공합니다. OptiMOS 6 제품군은 박형 웨이퍼 기술을 활용하여 상당한 성능 향상을 실현합니다. OptiMOS 6 전력 MOSFET은 다른 제품 대비 RDS(ON)이 30% 낮으며 동기 정류에 최적화되어 있습니다. 이 MOSFET은 40V, 100V, 120V, 135V, 150V, 200V 등 다양한 전압 노드로 제공됩니다.

결과: 81
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V
데이터시트
9,995예상 2026-10-15
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 74 A 15.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
데이터시트
8,985주문 중
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 40 V 299 A 880 uOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 69 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
데이터시트
9,920주문 중
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 600 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 116 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
데이터시트
2,000주문 중
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-3 N-Channel 40 V 390 A 750 uOhms 20 V 3 V 100 nC - 55 C + 175 C 206 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220
데이터시트
500예상 2026-03-12
최소: 1
배수: 1

Si OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V
데이터시트
2,000예상 2026-02-26
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 136 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 73 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube