OptiMOS™ 6 전력 MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 전력 MOSFET은 차세대 최첨단 혁신 기술과 동급 최고의 성능을 제공합니다. OptiMOS 6 제품군은 박형 웨이퍼 기술을 활용하여 상당한 성능 향상을 실현합니다. OptiMOS 6 전력 MOSFET은 다른 제품 대비 RDS(ON)이 30% 낮으며 동기 정류에 최적화되어 있습니다. 이 MOSFET은 40V, 100V, 120V, 135V, 150V, 200V 등 다양한 전압 노드로 제공됩니다.

결과: 107
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 720재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 6,000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 10,250재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 10,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 232 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 51 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 8,652재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 59 A 6.3 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 2,746재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000
Si SMD/SMT HSOF-5-5 N-Channel 1 Channel 40 V 490 A 550 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 130 nC - 55 C + 175 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12) 4,748재고 상태
2,000예상 2026-05-26
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15) 2,902재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,800

Si SMD/SMT PG-HDSOP-16-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance 3,500재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 166 A 2.05 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15) 1,605재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,800

Si SMD/SMT PG-HSOG-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12) 3,612재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 170 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12) 1,742재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,800

Si SMD/SMT PG-HSOG-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 170 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15) 1,773재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,800

Si SMD/SMT PG-HDSOP-16-1 N-Channel 1 Channel 150 V 170 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 798재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin 800재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL 1,475재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V 5,358재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 127 A 3.15 mOhms 20 V 2.3 V 33 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V 5,950재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 6,000

Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 127 A 3.15 mOhms 20 V 2.3 V 26 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V 3,384재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 97 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 2,645재고 상태
5,000예상 2026-07-02
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 17 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V 3,465재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 32 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 713재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 61 A 15.5 mOhms 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 332재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 61 A 15.5 mOhms 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 720재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 776재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 378재고 상태
6,000예상 2026-05-25
최소: 1
배수: 1
: 6,000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape