OptiMOS™ 6 전력 MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 전력 MOSFET은 차세대 최첨단 혁신 기술과 동급 최고의 성능을 제공합니다. OptiMOS 6 제품군은 박형 웨이퍼 기술을 활용하여 상당한 성능 향상을 실현합니다. OptiMOS 6 전력 MOSFET은 다른 제품 대비 RDS(ON)이 30% 낮으며 동기 정류에 최적화되어 있습니다. 이 MOSFET은 40V, 100V, 120V, 135V, 150V, 200V 등 다양한 전압 노드로 제공됩니다.

결과: 81
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package 927재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole PG-TO220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 128 A 5.4 mOhms 20 V 4 V 44 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 590재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12 mOhms 20 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 696재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 17 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 7,053재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 120 V 331 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 13,458재고 상태
18,000예상 2027-01-28
최소: 1
배수: 1
: 6,000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 31 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 7,136재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSON-8-3 N-Channel 1 Channel 200 V 88 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 39 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 3,967재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 2,295재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 1,027재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 39 A 33.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 15.9 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 1,419재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 1,532재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 200 V 138 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 72 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 630재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 2,490재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 39 A 33.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 15.9 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 1,027재고 상태
3,600예상 2026-07-02
최소: 1
배수: 1
: 1,800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 120 V 331 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 5,305재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 6,000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 31 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 2,215재고 상태
5,000예상 2026-04-16
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 194 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 59 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 4,914재고 상태
10,000예상 2026-02-16
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8FL N-Channel 1 Channel 120 V 163 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 46 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 5,584재고 상태
4,800예상 2026-03-05
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 86 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 11,872재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 63 A 10.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 3,826재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 40 V 299 A 880 uOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 69 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 6,870재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 62 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 7,279재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 26 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 9.9 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 63,860재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 381 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 94 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 88,483재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 24,135재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 238 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape