CoolSiC™ MOSFET

Infineon CoolSiC™ MOSFET은 애플리케이션에서 가장 낮은 손실과 가장 높은 작동 신뢰성을 모두 제공하도록 최적화된 최첨단 트렌치 반도체 공정을 기반으로 제작되었습니다. TO- 및 SMD 하우징의 개별 CoolSiC 포트폴리오는 650 V, 1 200 V 및 1 700 V 전압 등급으로 제공되며 온 저항 정격은 27 mΩ ~ 1 000 mΩ 입니다. CoolSiC 트렌치 기술을 통해 각각의 제품 포트폴리오에서 애플리케이션 별 기능을 구현하는 데 사용되는 유연한 매개변수 세트를 구현할 수 있습니다. 이러한 기능에는 게이트 소스 전압, 애벌런치 사양, 단락 기능 또는 하드 정류 정격의 내부 보디 다이오드가 포함됩니다.

결과: 30
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
데이터시트
421재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 4.7 A 350 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 5.3 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
데이터시트
1,974주문 중
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 650 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 8 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
480예상 2026-06-16
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
데이터시트
446예상 2026-02-16
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 117 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 21 nC - 55 C + 150 C 115 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 11 주
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC