SiC MOSFET – Mouser 대한민국

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CoolSiC™ 1200V G2 실리콘 카바이드 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 실리콘 카바이드 MOSFET은.전력 전자 애플리케이션을 위한 고성능 솔루션을 제공합니다. 이 MOSFET은 뛰어난 전기적 특성을 보여주고 스위칭 손실이 매우 낮아 효율적인 작동을 가능하게 합니다. 1200V G2 MOSFET은 과부하 조건에 맞춰 설계되어 최대 200°C까지에서 작동을 지원하고 최대 2µs동안 단락을 견딜 수 있습니다. 이 소자는 4.2V 벤치마크 게이트 임계 전압 V_GS(th)가 특징이며 정밀한 제어를 보장합니다. CoolSiC MOSFET 1200V G2는 1세대 기술의 강점을 기반으로 하는 세 가지 패키지로 제공되어 더욱 비용 최적화되고 효율적이며 컴팩트하고 설계하기 쉽고 안정적인 시스템을 위한 고급 솔루션을 제공합니다. 2세대는 하드/소프트 스위칭 토폴로지의 주요 성능 수치를 크게 개선하여 모든 일반적인 DC-DC, AC-DC 및 DC-AC 단계 조합에 이상적입니다.

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결과: 42

적용된 필터:

장착 스타일

패키지/케이스

트랜지스터 극성

채널 수

Vds - 드레인 소스 항복 전압

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

Qg - 게이트 전하

최저 작동온도

최고 작동온도

Pd - 전력 발산

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부품 번호

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

IMZC120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩16,206
959재고 상태
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제조업체 부품 번호
IMZC120R034M2HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMZC120R034M2HXK

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Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

959재고 상태

₩16,206

₩12,672.8

₩10,555.8

₩9,417

₩7,986.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2

IMZC120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩15,154.8
967재고 상태
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IMZC120R040M2HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMZC120R040M2HXK

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Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

967재고 상태

₩15,154.8

₩11,855.2

₩9,884.2

₩8,803.8

₩7,840.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

48 A

40 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

218 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

IMZC120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩13,417.4
858재고 상태
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

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858재고 상태

₩13,417.4

₩9,986.4

₩8,322

₩7,416.8

₩6,599.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38 A

53 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2

IMZC120R078M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩11,650.8
556재고 상태
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

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556재고 상태

₩11,650.8

₩8,219.8

₩6,847.4

₩6,102.8

₩5,431.2

최소: 1
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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

28 A

78 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

143 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩46,851.4
1,054재고 상태

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IMBG120R008M2HXTMA1

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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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1,054재고 상태

컷 테이프

₩46,851.4

₩39,960.2

₩34,952.4

릴

₩34,952.4

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R012M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩32,558
1,189재고 상태

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IMBG120R012M2HXTMA1

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Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해

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1,189재고 상태

컷 테이프

₩32,558

₩26,645

₩23,535.2

릴

₩23,535.2

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

144 A

12.2 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R017M2HXTMA1
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1: ₩24,893
3,648재고 상태

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IMBG120R017M2HXTMA1

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Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해

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3,648재고 상태

컷 테이프

₩24,893

₩19,929

₩17,228

릴

₩17,228

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

17.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

470 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R022M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩21,710.2
433재고 상태

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IMBG120R022M2HXTMA1

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Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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433재고 상태

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₩21,710.2

₩16,220.6

₩14,016

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릴

₩11,271.2

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

87 A

21.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩17,943.4
1,900재고 상태

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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해

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1,900재고 상태

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₩17,943.4

₩14,600

₩12,161.8

₩10,847.8

릴

₩9,198

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

75 A

25.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

335 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩13,913.8
475재고 상태

제조업체 부품 번호
IMBG120R040M2HXTMA1

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726-IMBG120R040M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해

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475재고 상태

컷 테이프

₩13,913.8

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₩7,825.6

릴

₩6,978.8

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

52 A

39.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩10,307.6
1,651재고 상태

제조업체 부품 번호
IMBG120R078M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMBG120R078M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해

데이터시트

1,651재고 상태

컷 테이프

₩10,307.6

₩7,533.6

₩6,102.8

₩5,416.6

릴

₩4,642.8

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

29 A

78.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

20.6 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R116M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩8,862.2
752재고 상태

제조업체 부품 번호
IMBG120R116M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMBG120R116M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해

데이터시트

752재고 상태

컷 테이프

₩8,862.2

₩6,190.4

₩5,007.8

₩4,438.4

릴

₩3,810.6

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

21.2 A

115.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

123 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R181M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩7,489.8
256재고 상태
1,000예상 2026-03-05

제조업체 부품 번호
IMBG120R181M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMBG120R181M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해

데이터시트

256재고 상태

1,000예상 2026-03-05

컷 테이프

₩7,489.8

₩4,978.6

₩3,781.4

₩3,460.2

릴

₩2,905.4

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

14.9 A

181.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R234M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩6,847.4
259재고 상태
5,000주문 중

제조업체 부품 번호
IMBG120R234M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMBG120R234M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

259재고 상태

5,000주문 중

컷 테이프

₩6,847.4

₩4,526

₩3,401.8

₩3,080.6

릴

₩2,613.4

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

8.1 A

233.9 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

80 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩12,147.2
9재고 상태
2,000예상 2026-06-11

제조업체 부품 번호
IMBG120R053M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMBG120R053M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해

데이터시트

9재고 상태

2,000예상 2026-06-11

컷 테이프

₩12,147.2

₩8,511.8

₩6,891.2

₩6,453.2

릴

₩5,606.4

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

41 A

52.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

IMZC120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩22,498.6
13재고 상태
1,680주문 중
신제품

제조업체 부품 번호
IMZC120R022M2HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMZC120R022M2HXK

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

13재고 상태

1,680주문 중

₩22,498.6

₩17,417.8

₩15,052.6

₩15,038

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

22 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R005M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: ₩69,685.8
750예상 2026-03-05
신제품

제조업체 부품 번호
IMCQ120R005M2HXUMA1

Mouser 부품 번호
726-IMCQ120R005M2HXU

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

750예상 2026-03-05

컷 테이프

₩69,685.8

₩58,224.8

₩56,560.4

₩49,756.8

릴

₩49,756.8

최소: 1
배수: 1

릴: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

342 A

13.6 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

261 nC

- 55 C

+ 175 C

1.364 kW

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ 1200V G2 실리콘 카바이드 MOSFET

고객 서비스 센터

회사

참고 자료

지원

8.1 A
14.9 A
21.2 A
28 A
29 A
31 A
38 A
41 A
43 A
48 A
52 A
55 A
56 A
64 A
69 A
75 A
80 A
82 A
87 A
97 A

7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
51 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
89 nC
124 nC
176 nC
195 nC

80 W
94 W
123 W
143 W
158 W
176 W
182 W
205 W
218 W
234 W
244 W
250 W
288 W
289 W
326 W
329 W
335 W
382 W
385 W
405 W